苏州4寸n型碳化硅衬底

时间:2022年07月03日 来源:

    碳化硅衬备技术包括PVT法(物相传输法)、溶液法和HTCVD法(高温气相化学沉积法)等,目前国际上基本采用PVT法制备碳化硅单晶。SiC单晶生长经历3个阶段,分别是Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC高温升华分解特性,可采用升华法即Lely法来生长SiC晶体,它是把SiC粉料放在石墨坩埚和多孔石墨管之间,在惰性气体(氩气)环境温度为2500℃的条件下进行升华生长,可以生成片状SiC晶体。但Lely法为自发成核生长方法,较难控制所生长SiC晶体的晶型,且得到的晶体尺寸很小,后来又出现了改良的Lely法,即PVT法(物相传输法),其优点在于:采用SiC籽晶控制所生长晶体的晶型,克服了Lely法自发成核生长的缺点,可得到单一晶型的SiC单晶,且可生长较大尺寸的SiC单晶。 SiC的热稳定性比较高。在常压下不会熔化。苏州4寸n型碳化硅衬底

不同的SiC多型体在半导体特性方面表现出各自的特性。利用SiC的这一特点可以制作SiC不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格,从而获得性能较好的器件.其中6H-SiC结构为稳定,适用于制造光电子器件:p-SiC比6H-SiC活泼,其电子迁移率比较高,饱和电子漂移速度快,击穿电场强,较适宜于制造高温、大功率、高频器件,及其它薄膜材料(如A1N、GaN、金刚石等)的衬底和X射线的掩膜等。而且,β-SiC薄膜能在同属立方晶系的Si衬底上生长,而Si衬底由于其面积大、质量高、价格低,可与Si的平面工艺相兼容,所以后续PECVD制备的SiC薄膜主要是β-SiC薄膜杭州进口4寸半绝缘碳化硅衬底为了制造碳化硅半导体器件,需要在碳化硅晶片表面生长1层或数层碳化硅薄膜。

碳化硅衬底成本下降趋势可期。在碳化硅器件成本结构中,衬底成本约占50%。碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一,碳化硅衬底需要在2500度高温设备下进行生产,而硅晶只需1500度;碳化硅晶圆约需要7至10天,而硅晶棒只需要2天半;目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸,而用于功率器件的硅晶圆以8英寸为主,这意味着碳化硅单晶片所产芯片数量较少、碳化硅芯片制造成本较高,目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系。

相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。市场空间:据 Yole 统计,2020 年 SiC 碳化硅功率器件市场规模约 7.1 亿美元,预计 2026 年将增长至 45 亿美元,2020-2026 年 CAGR 近 36%。其中,新能源汽车是 SiC 功率器件下游重要的应用市场,预计需求于 2023 年开始快速爆发。与传统硅基功率电力电子器件相比,碳化硅基功率器件可以**降低能耗,节约电力。

功率半成品在成熟节点上制造。这些设备旨在提高系统的效率并将能量损失降至比较低。通常,它们的额定值是由电压和其他规格决定的,而不是由工艺几何形状决定的。多年来,占主导地位的功率半技术一直(现在仍然)基于硅,即功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。功率MOSFET被认为是低价、当下流行的器件,用于适配器、电源和其他产品中。它们用于高达900伏的应用中。在传统的MOSFET器件中,源极和漏极位于器件的顶部。相比之下,功率MOSFET具有垂直结构,其中源极和漏极位于器件的相对侧。垂直结构使设备能够处理更高的电压。SiC在很宽的光谱范围(2.2~3.2eV)内也有良好的发光特性。上海6寸半绝缘碳化硅衬底

Cree在SiC衬**备方面具有业内**地位,它的产品是业界的风向标,**了需求的发展方向。苏州4寸n型碳化硅衬底

到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括富士、英飞凌、利特弗斯、三菱、安半导体、意法半导体、Rohm、东芝和Wolfspeed。Wolfspeed是CREE的一部分。电力电子在世界电力基础设施中发挥着关键作用。该技术用于工业(电机驱动)、交通(汽车、火车)、计算(电源)和可再生能源(太阳能、风能)。电力电子设备在系统中转换或转换交流电和直流电(AC和DC)。对于这些应用,行业使用各种功率半导体。一些半功率晶体管是晶体管,在系统中用作开关。它们允许电源在“开启”状态动,并在“关闭”状态下停止。苏州4寸n型碳化硅衬底

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