苏州碳化硅衬底进口

时间:2021年12月31日 来源:

N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子行业发展必不可少的重要材料。其耐高压、耐高频等突出的物理特性可以广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变、轨道交通电力控制系统等领域,起到减小体积简化系统,提升功率密度的作用,发光二极管(LED)是利用半导体中电子与空穴复合发光的一种电子元器件,是一种节能环保的冷光源。SiC材料具有与GaN晶格失配小、热导率高、器件尺寸小、抗静电能力强、可靠性高等优点是GaN系外延材料的理想衬底,由于其良好的热导率,解决了功率型GaN-LED器件的散热问题,特别适合制备大功率的半导体照明用LED,这样提高了出光效率,又能有效的降低能耗。SiC的热稳定性比较高。在常压下不会熔化。苏州碳化硅衬底进口

在4H-SiC材料和器件发展方面,美国处于国际**地位,已经从探索性研究阶段向大规模研究和应用阶段过渡。CREE公司已经生产出4英寸(100 mm)零微管(ZMP)n型SiC衬底。同时,螺旋位错(screw dislocation)密度被降低到几十个/cm2。商用水平比较高的器件:4H-SiC MESFET在S-波段连续波工作60W(1.5GHz,ldB压缩),漏效率45%(1.5GHz,POUT=PldB),工作频率至2.7GHz。近期CREE公司生产的CRF35010性能达到:工作电压48V,输出功率10W,工作频率3.4-3.8GHz,线性增益10dB;美国正在逐步将这种器件装备在***武器上,如固态相控阵雷达系统、***通讯电子系统、高频电源系统、电子战系统——干扰和威胁信号预警等。其中Cree公司的SiC MESFET功率管已经正式装备美国海军的新一代预警机E2D样机。近期俄罗斯、欧洲和日本加快发展,SiC材料生长和器件制造技术也在不断走向成熟。苏州碳化硅衬底进口SiC衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等。

随着下游新能源汽车、充电桩、光伏、5G基站等领域的爆发,了对第三代半导体——碳化硅材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求,国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局碳化硅产业,我们首先来探讨一下碳化硅衬底的国产化进程。碳化硅分为立方相(闪锌矿结构)、六方相(纤锌矿结构)和菱方相3大类共 260多种结构,目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商业价值。另碳化硅根据电学性能的不同主要可分为高电阻(电阻率 ≥105Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底和低电阻(电阻率区间为 15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底,满足不同功能芯片需求

全球碳化硅衬底企业主要有CREE、II-VI、SiCrystal,国际企业相比国内企业由于起步早,在产业化经验、技术成熟度、产能规模等方面具备优势,抢占了全球碳化硅衬底绝大部分的市场份额。随着下游终端市场,新能源汽车、光伏、5G基站等领域的快速增长,为上游碳化硅衬底提供了巨大的市场活力,国内以山东天岳、天科合达、烁科晶体等为的企业纷纷跑马圈地碳化硅衬底市场,通过加强技术研发与资本投入,逐渐掌握了4英寸至6英寸,甚至8英寸的碳化硅衬造技术,缩小了与国际之间技术与产能方面的差距。SiC的临界击穿电场比常用半导体Si和GaAs都大很多。

由于电动汽车(EV)和其他系统的快速增长,对碳化硅(SiC)衬底和功率半导体的需求正在激增。由于需求量大,市场上SiC基板、晶圆和SiC基器件供应紧张,促使一些供应商在晶圆尺寸转换过程中增加晶圆厂产能。一些SiC器件制造商正在晶圆厂从4英寸晶圆过渡到6英寸晶圆。SiC(碳化硅功率器件)是一种基于硅和碳的化合物半导体材料。在生产流程中,专门的碳化硅衬底和晶圆被开发,然后在晶圆厂中进行加工,从而形成基于碳化硅的功率半导体。许多基于SiC的电源半成品和竞争对手的技术都是晶体管,可以在高压下切换设备中的电流。它们被用于电力电子领域,在电力电子领域中,设备转换和控制系统中的电力。Cree现在供应的主流衬底片主要是4英寸和6英寸大尺寸晶片。苏州碳化硅衬底进口

碳化硅在大功率LED方面具有非常大的优势。苏州碳化硅衬底进口

功率半导体多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前,功 率半导体材料正迎来材料更新换代,这些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓),二者的物理特性均优于现在使用的Si(硅),作为节能***受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。将Si换成GaN或SiC等化合物半导体,可大幅提高产品效率并缩小尺寸,这是Si功率半导体元件(以下简称功率元件)无法实现的。  目前,很多领域都将Si二极管、MOSFET及IGBT(绝缘栅双极晶体管)等晶体管用作功率元件,比如供电系统、电力机车、混合动力汽车、工厂内的生产设备、光伏发电系统的功率调节器、空调等白色家电、服务器及个人电脑等。这些领域利用的功率元件的材料也许不久就将被GaN和SiC所替代。苏州碳化硅衬底进口

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