新型电镀铜产线

电镀铜是一种非接触式的铜电极制备工艺，有望助力光伏电池实现完全无银化。铜电镀技术在印刷电路板PCB等行业应用成熟，亦可用于晶硅电池金属化环节，其原理是在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，进而作为电极收集光伏效应产生的载流子。铜电镀工艺发展优势明显，较银浆丝网印刷具备更低的银浆成本、更优的导电性能、更好的塑性和高宽比，有望替代高银耗的丝网印刷技术，进一步提高电池效率和降低银浆成本，助力HJT和XBC电池降本增效和规模化发展。电镀铜助力HJT降本增效，产业化进程进入加速期。新型电镀铜产线

铜电镀整线就解决方案设备流程：种子层沉积—图形化—电镀—后处理，光伏电镀铜工艺流程主要包括种子层沉积、图形化、电镀及后处理四大环节，目前各环节技术路线不一，多种组合工艺方案 并行，需要综合性能、成本来选择合适的工艺路线。釜川（无锡）智能科技有限公司，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。新型电镀铜产线电镀铜在种子层制备方式上，采用物理的气相沉积（PVD）。

在电镀铜的过程中，阳极材料是非常重要的。阳极材料的选择会直接影响到电镀铜的质量和效率。以下是常见的电镀铜中使用的阳极材料：1.铜阳极：铜阳极是电镀铜中常用的阳极材料之一。它具有良好的导电性和化学稳定性，可以提供高质量的电镀铜。2.铅阳极：铅阳极是另一种常用的阳极材料。它具有良好的耐腐蚀性和化学稳定性，可以在高温和高酸度条件下使用。3.钛阳极：钛阳极是一种高性能阳极材料，具有良好的耐腐蚀性和化学稳定性。它可以在高温和高酸度条件下使用，并且可以提供高质量的电镀铜。4.铂阳极：铂阳极是一种高级的阳极材料，具有极高的化学稳定性和耐腐蚀性。它可以提供高质量的电镀铜，但成本较高。总之，选择适合的阳极材料对于电镀铜的质量和效率都非常重要。在选择阳极材料时，需要考虑到电镀铜的工艺要求、成本和使用环境等因素。

铜电镀与传统丝网印刷的差异主要在TCO膜制备工序之后，前两道的工艺制绒与PVD溅射未变：传统异质结产线在TCO膜制备之后采用银浆印刷和烧结，而铜电镀则把银浆丝网印刷替换成制备铜栅线的图形化和金属化两大工序。图形化工艺：PVD（气相沉积法）设备在硅片TCO表面溅射一层100nm的铜种子层，使用石蜡或油墨印刷机（掩膜一体机）的湿膜法制作掩膜/喷涂感光胶，印刷、烘干后经过曝光机曝光处理后，将感光胶或光刻胶上的图形显影。金属化工艺：特定图形的铜沉积（电镀铜），然后使用不同的抗氧化方法进行处理（电镀锌或使用抗氧化剂制作保护层），除去之前的掩膜/感光胶，刻蚀去除多余铜种子层，避免电镀铜在种子层腐蚀过程中引入缺陷，露出原本的TCO，其后再进行表面处理，至此形成完整的铜电镀工序。整个过程使用的主要设备是电镀设备。无种子层直接铜电镀工艺。

铜栅线更细，线宽线距尺寸小，发电效率更高。栅线细、线宽线距小意味着栅线密度更大，更多的栅线可以更好地将光照产生的内部载流子通过电流形式导出电池片，从而提高发电效率，铜电镀技术电池转化效率比丝网印刷高0.3%~0.5%。①低温银浆较为粘稠，印刷宽度更宽。高温银浆印刷线宽可达到20μm，但是低温银浆印刷的线宽大约为40μm。②铜电镀铜离子沉积只有电子交换，栅线宽度更小。铜电镀的线宽大约为20μm，采用类半导体的光刻技术可低于20μm。PVD镀膜设备的技术经验可延伸至HJT电镀铜工艺。成都釜川电镀铜工艺

电镀铜工序包括种子层制备环节。新型电镀铜产线

电镀铜光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将设计好的微图形结构转移到覆有感光材料的晶圆、玻璃基板、覆铜板等基材表面上的微纳制造技术。光刻设备是微纳制造的一种关键设备，在泛半导体领域，根据是否使用掩膜版，光刻技术主要分为直写光刻与掩膜光刻，其中掩膜光刻可进一步分为接近/接触式光刻以及投影式光刻。掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。其中，投影式光刻更加先进，能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下获得更小比例的图像，从而实现更精细的成像。直写光刻也称无掩膜光刻，是指计算机将电路设计图形转换为机器可识别的图形数据，并由计算机控制光束调制器实现图形的实时显示，再通过光学成像系统将图形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，直接进行扫描曝光。直写光刻既具有投影光刻的技术特点，如投影成像技术、双台面技术、步进式扫描曝光等，又具有投影光刻不具备的高灵活性、低成本以及缩短工艺流程等技术特点。新型电镀铜产线