PVD闸阀Micron

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，控制系统闸阀，控制闸阀、控制系统插板阀、控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。真空闸阀通过使用滑动闸门机构来控制气体的通过。PVD闸阀Micron

微泰，传输阀 (L-MOTION)、L型转换阀、输送阀、转移阀应用于晶圆加工，半导体加工，可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材料：铝或不锈钢• 紧凑型设计• 使用维修配件工具包易于维护• 应用：半导体系统中小于 450mm 晶圆的传输和处理室隔离，传输阀 (L-MOTION)、输送阀、转移阀规格如下：闸门密封类型：传输阀 (L-MOTION)、左动转换阀、驱动方式：气动、法兰尺寸（内径） 32×222/46×236/50×336/56×500 、连接方式：焊接波纹管、闸门密封 Viton O 形圈/硫化密封件、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、工作压力范围：1×10-10 mbar to 1200 mbar、开始时的压差：≤ 30 mbar、开启时压差： ≤ 1200 mbar r、泄漏率不锈钢：< 1×10 -9Mbarℓ/秒/铝：< 1×10 -5  mbar ℓ/秒、维护前可用次数： ≥1,000,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 VAT闸阀BUTTERFLY VALVE非金属材料高压闸阀有陶瓷阀门、玻璃阀门、塑料阀门。

微泰半导体闸阀具有诸多特点：其阀门驱动部分的所有滚子和轴承都经过精心防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring），通过三重预防方式有效切断粉末（Powder），从而延长阀门驱动及使用寿命。该闸阀采用的三重预防驱动方式中的 Shield 功能，能够出色地防止气体和粉末侵入阀体内部，同时具备三重保护驱动保护环，可延长 GV 寿命的 Shield 方法，并已供应给海外半导体 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 设备。此外，挡板与阀体之间的距离小于 1mm，能够强力阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板采用 1.5t AL 材料制成，充分考虑了其复原力，并通过 Viton 粉末热压工艺制成。而三重保护保护环的主要功能则包括：AL 材料的重量减轻和保护环内部照明的改善、保护环内部流速的增加以及三元环的应用确保了驱动性能的提升。

微泰半导体闸阀具有独特的三重保护保护环机能：采用铝质材料，减轻重量的同时提高保护环内部粗糙度，有效防止工程副产物的堆积黏附；通过提升保护环内部流速设计，且保护环逐步收窄，进一步提升流速，防止粉尘黏附；采用三元系 O 型圈，确保保护环驱动稳定，可保证 30 万次驱动。该闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，能够替代 HVA 闸阀、VAT 闸阀。此闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。高压闸阀按阀杆螺纹的位置分外螺纹式、内螺纹式、法兰、焊接等。按介质的流向分，有直通式、直流式和角式。

半导体主加工设备腔内精确压力控制的解决方案，真空插板阀品牌—微泰。控制系统阀门是安装在半导体• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备中的主要阀门。控制系统阀门起到调节腔内压力的作用，通过控制系统自动调节闸板的开启和关闭。精确控制腔内压力的阀门分为三类：控制系统闸阀、蝶阀、多定位闸阀。控制系统和蝶阀使用步进电机操作，而多定位闸阀、多位置闸阀使用气动控制操作。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。微泰，高压闸阀应用于• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）•CVD（化学气相沉积）等设备上。低真空闸阀

用真空闸阀时，应考虑与工艺气体的兼容性、工作压力范围、循环速度和维护要求等因素。PVD闸阀Micron

微泰高压闸阀可以应用于多种设备，如蒸发、溅射、金刚石生长、PECV、PVD集群、卷对卷、涂层、蚀刻、扩散和CVD等。它具有陶瓷球机构产生的低颗粒和易于维护等特点，可替代VAT闸阀。该阀门的规格包括手动或气动驱动方式、1.5英寸至14英寸的法兰尺寸、CF法兰类型、焊接波纹管连接方式、氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM阀门密封、氟橡胶O型圈阀盖密封、≤2秒响应时间、1.5˝至6˝的操作压力范围为1×10-10 mbar至1400 mbar，8˝至14˝的操作压力范围为1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的开始时压差、≤1400 mbar的6˝以下闸门差动压力和≤1200 mbar的8˝至14˝闸门差动压力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次维护前可用次数、阀体温度≤200°、机构温度≤80°C、烤炉温度≤150°C、阀体不锈钢304或316L和驱动器铝6061阳极氧化、任意安装位置和4至7 bar的N2操作压力。此外，微泰高压闸阀已在中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其他设备上得到应用。如果您需要了解更多关于微泰高压闸阀的信息，请联系上海安宇泰环保科技有限公司。PVD闸阀Micron