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早期的频率合成器主要由分立元器件来实现。80年代以来，微电子技术和计算机技术的飞速发展，使得频率合成器趋于全集成化，所有电路都集成在一块芯片上。频率合成器 的发展趋势是频率更高、系统功能更强、制作工艺更先进、集成度更高、成本更低、系列品 种更加完善。双环或多环锁相式频率合成器、DDS与锁相式混合的频率合成器已经实现单片集成。频率合成器已经与通信系统收发信机的射频电路集成在一起，形成了集接收机、发射机、频率合成器于一体的SOC芯片。频率合成器的主要指标有相位噪声、带内杂散、锁定时间。杭州安铂克频综采购

频率综合器的未来趋势：间接的基于VCO的PLL频率综合器是目前很流行的方案。将来预计通过减少PLL残留本底噪声来提高性能，以支持兆赫范围的环路滤波。迅速的切换速度（几微秒）和低相位噪声（10GHz输出，在10kHz偏移频率约为-130dBc/Hz）是当今设计者近期共同的目标。小尺寸、可扩展的功能（如内置的调制和幅度控制）和低成本是工业界的设计目标。结合具有巨大的发展潜力的DDS技术。通过拓展DDS可用带宽和减小其杂散会带来许多进步。倍频和/或上变频技术可能为毫米波或更高频率（虽然DDS本身带宽会不断增加）带来可用的带宽。在一些点上，直接综合技术通过提供快得惊人的切换速度、纳秒级的调谐速度以及复杂的输出波形，有望争夺并取代间接综合设计。杭州安铂克频综采购采用DDS技术的直接数字频率合成器可分为正弦输出DDS、脉冲输出DDS和相位插入DDS等类别。

如何选择锁相环（PLL）频率合成器中的其它元件呢？选择锁相环（PLL）频率合成器的方法：频率基准：为获得稳定的低相位噪声RF输出，良好的高质量、低相位噪声频率基准至关重要。利用 TCXO晶体产生的方波或限幅正弦波具有出色的性能，因为较陡峭的时钟边沿会使R计数器输出上的相位抖动较小。某些系列具有片上振荡器电路，允许将低成本AT切割晶体用作频率基准。虽然可预测AT晶体的成本只有TCXO的三分之一，但其温度稳定性较差，需要使用变容二极管实施补偿方案。

在短波跳频通信中，信号在较宽的频带上不断变化，并且要求在很小的频率间隔内快速地切换频率和相位，因此采用DDS技术的本振信号源是较为理想的选择。这种方法简单可靠、控制方便，且具有很高的频率分辨率和转换速度，非常适合快速跳频通信的要求。 1。 1 主要性能指标 1）频率范围；主要取决于压控振荡器的频率范围 2）频率间隔fch与信道总数； 3）转换时间； 4）噪音。频率合成器作用是给微波扫频信号提供一定分辨力的频率参考信号，并对微波信号输出频率进行逐点锁定，以得到高准确度和稳定度的扫频输出信号。频率合成器普遍应用于雷达、通信、电子对抗、遥感遥测及电子仪器领域。

频率综合器的特性是什么样的？频率综合器的特性在很大程度上取决于其特殊架构，可以被分成几个主要的类型，直接频率综合架构是直接从获得的参考信号中创建输出信号，通过在频域控制和组合参考信号（直接模拟综合），或通过在时域构造输出波形（直接数字综合）间接频率综合方法假定输出信号以一种输出频率和输入参考信号相关的形式（例如，锁相）在频率综合器内部生成。同样，间接频率综合可以用模拟和数字技术来完成。然而实际的综合器为了得到多种技术的各自优势，通常是结合多种技术的混合设计。频率发生器由晶体振荡器和后置放大器组成。杭州安铂克频综采购

频率范围是指频率合成器输出的较低频率f(min)和较高频率f（max）之间的变化范围。杭州安铂克频综采购

由于频率源的体积尺寸有限，工作频率高，对集成密度、加工精度和电磁空间隔离等问题均提出很高要求。LTCC基板具有加工精度高、可任意层互连、能内埋器件、加工灵活、一致性好和损耗低等优点，适合于频率源高密度集成和高频宽带信号传输等需求。整个电路以LTCC基板为载体，共10层，厚度约为1 mm，表层为高频信号传输层，其余分别是参考地层、控制层和电源层。为保证高频信号传输质量和便于芯片固定粘接，在基板表层局部开腔和槽，实现芯片下沉安装，从而达到高密度集成和良好电性能。LTCC基板表面安装微尺寸的屏蔽框，将整个电路基板按功能与信号频率组成分割为不同区域，以提高区域之间信号隔离度。金属壳体采用铝质材料加工，用于气密封装和提供散热，整个基板粘接安装在金属盒体底部。杭州安铂克频综采购

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