Filmetrics Profilm3D膜厚仪国内用户

时间:2022年10月10日 来源:

F3-CS:Filmetrics的F3-CS专门为了微小视野及微小样品测量设计,任何人从已线操作到研&发人员都可以此簡易USB供电系统在數秒钟内测量如聚对二甲苯和真空镀膜层厚度.我们具專利的自動校正功能大幅缩短测量设置並可自动调节仪器的灵敏度,使用免手持测量模式時,只需简单地將样品面朝下放置在平台上测量样品,此時该系统已具備可测量数百种膜层所必要的一切设置不管膜层是否在透明或不透明基底上.快速厚度测量可选配FILMeasure厚度测量软件使厚度测量就像在平台上放置你的样品一樣容易,软件內建所有常见的电介质和半导体层(包括C,N和HT型聚对二甲苯)的光学常数(n和k),厚度结果會及時的以直覺的测量结果显示对于進階使用者,可以進一步以F3-CS测量折射率,F3-CS可在任何运行WindowsXP到Windows864位作業系統的计算机上运行,USB电缆則提供电源和通信功能.F30 系列是监控薄膜沉积,蕞强有力的工具。Filmetrics Profilm3D膜厚仪国内用户

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集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度Filmetrics Profilm3D膜厚仪国内用户F30-UV测厚范围:3nm-40µm;波长:190-1100nm。

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F50系列自动化薄膜测绘FilmetricsF50系列的产品能以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度。一个电动R-Theta平台可接受标准和客制化夹盘,样品直径可达450毫米。(耐用的平台在我们的量产系统能够执行数百万次的量测!)測绘圖案可以是极座標、矩形或线性的,您也可以创造自己的测绘方法,并且不受测量点数量的限制。內建数十种预定义的测绘圖案。不同的F50仪器是根据波长范围来加以区分的。标准的F50是很受欢迎的产品。一般较短的波长(例如,F50-UV)可用于测量较薄的薄膜,而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。

滤光片整平光谱响应。ND#0.5衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#0.5衰减整平滤波器.ND#1衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#1衰减整平滤波器.ND#2衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#2衰减整平滤波器.420nm高通滤波器.420nm高通滤波器於滤波器架.515nm高通滤波器.515nm高通滤波器於滤波器架.520nm高通滤波器+ND1.520nm高通滤波器+ND#1十倍衰减整平滤波器.520nm高通滤波器+ND#2520nm高通滤波器+ND#2一百倍衰减整平滤波器.550nm高通滤波器550nm高通滤波器於滤波器架.F20-EXR测厚范围:15nm - 250µm;波长:380-1700nm。

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F54自动化薄膜测绘FilmetricsF54系列的产品能以一个电动R-Theta平台自动移动到选定的测量点以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度,样品直径达450毫米可选择数十种内建之同心圆,矩形,或线性图案模式,或自行建立无数量限制之测量点.瑾需具备基本电脑技能的任何人可在数分钟内自行建立配方F54自动化薄膜测绘只需联结设备到您运行Windows™系统计算机的USB端口,可在几分钟轻松设置不同的型号主要是由厚度和波长范围作为区别。通常较薄的膜需要较短波长作测量(如F54-UV)用来测量较薄的膜,而较长的波长可以用来测量更厚,更粗糙,或更不透明的薄膜重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ;0.8 μm (1 sigma)双探头*。测厚仪膜厚仪要多少钱

Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率,但它增加了许多用于生产环境的功能。Filmetrics Profilm3D膜厚仪国内用户

F30系列监控薄膜沉积,蕞强有力的工具F30光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数(n和k值)和半导体以及电介质层的均匀性。样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积:可以测量平滑和半透明的,或轻度吸收的薄膜。这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。各项优点:极大地提高生产力低成本—几个月就能收回成本A精确—测量精度高于±1%快速—几秒钟完成测量非侵入式—完全在沉积室以外进行测试易于使用—直观的Windows™软件几分钟就能准备好的系统型号厚度范围*波长范围F30:15nm-70µm380-1050nmF30-EXR:15nm-250µm380-1700nmF30-NIR:100nm-250µm950-1700nmF30-UV:3nm-40µm190-1100nmF30-UVX:3nm-250µm190-1700nmF30-XT:0.2µm-450µm1440-1690nmFilmetrics Profilm3D膜厚仪国内用户

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