盒厚膜厚仪供应商家

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。 

测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。 F40测量范围；20nm-40µm;波长：400-850nm。盒厚膜厚仪供应商家

F30包含的内容：集成光谱仪/光源装置光斑尺寸10微米的单点测量平台FILMeasure 8反射率测量软件Si 参考材料FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)

额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划

型号厚度范围*波长范围

F3-s 980:10µm - 1mm  960-1000nm

F3-s1310:15µm - 2mm 1280-1340nm 

F3-s1550:25µm - 3mm 1520-1580nm

*取决于薄膜种类 盒厚膜厚仪供应商家F50测厚范围：20nm-70µm；波长：380-1050nm。

F10-HC轻而易举而且经济有效地分析单层和多层硬涂层F10-HC 以 Filmetrics F20 平台为基础，根据光谱反射数据分析快速提供薄膜测量结果。 F10-HC 先进的模拟算法是为测量聚碳酸酯和其它单层和多层硬涂层(例如，底涂/硬涂层)专门设计的。

全世界共有数百台 F10-HC 仪器在工作，几乎所有主要汽车硬涂层公司都在使用它们。

像我们所有的台式仪器一样，F10-HC 可以连接到您装有 Windows 计算机的 USB 端口并在几分钟内完成设定。

包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure 8 软件FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)CP-1-1.3 探头BK7 参考材料TS-Hardcoat-4um 厚度标准备用灯

额外的好处：应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划

参考材料

备用 BK7 和二氧化硅参考材料。

BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜

BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。

REF-Si-22" 单晶硅晶圆

REF-Si-44" 单晶硅晶圆

REF-Si-66" 单晶硅晶圆

REF-Si-88" 单晶硅晶圆

REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片

REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片

REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。 测量 1nm 到 13mm 的单层薄膜或多层薄膜堆。

F3-CS：

Filmetrics的F3-CS 专门为了微小视野及微小样品测量设计, 任何人从**操作到研&发人员都可以此簡易USB供电系统在數秒钟内测量如聚对二甲苯和真空镀膜层厚度.

我们具專利的自動校正功能大幅缩短测量设置並可自动调节仪器的灵敏度, 使用免手持测量模式時, 只需简单地將样品面朝下放置在平台上测量样品 , 此時该系统已具備可测量数百种膜层所必要的一切设置不管膜层是否在透明或不透明基底上.

快速厚度测量可选配FILMeasure厚度测量软件使厚度测量就像在平台上放置你的样品一樣容易, 软件內建所有常见的电介质和半导体层（包括C，N和HT型聚对二甲苯）的光学常数(n和k）,厚度结果會及時的以直覺的测量结果显示对于進階使用者，可以進一步以F3-CS测量折射率, F3-CS可在任何运行Windows XP到 Windows8 64位作業系統的计算机上运行, USB电缆則提供电源和通信功能. 测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。盒厚膜厚仪供应商家

只需按下一个按钮，您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。盒厚膜厚仪供应商家

集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 盒厚膜厚仪供应商家