智能化多端口矩阵测试DDR3测试方案

时间:2023年10月07日 来源:

DDR3(Double Data Rate 3)是一种常见的动态随机存取存储器(DRAM)标准,它定义了数据传输和操作时的时序要求。以下是DDR3规范中常见的时序要求:

初始时序(Initialization Timing)tRFC:内存行刷新周期,表示在关闭时需要等待多久才能开启并访问一个新的内存行。tRP/tRCD/tRA:行预充电时间、行开放时间和行访问时间,分别表示在执行读或写操作之前需要预充电的短时间、行打开后需要等待的短时间以及行访问的持续时间。tWR:写入恢复时间,表示每次写操作之间小需要等待的时间。数据传输时序(Data Transfer Timing)tDQSS:数据到期间延迟,表示内存控制器在发出命令后应该等待多长时间直到数据可用。tDQSCK:数据到时钟延迟,表示从数据到达内存控制器到时钟信号的延迟。tWTR/tRTW:不同内存模块之间传输数据所需的小时间,包括列之间的转换和行之间的转换。tCL:CAS延迟,即列访问延迟,表示从命令到读或写操作的有效数据出现之间的延迟。刷新时序(Refresh Timing)tRFC:内存行刷新周期,表示多少时间需要刷新一次内存行。 是否可以通过重新插拔DDR3内存模块解决一致性问题?智能化多端口矩阵测试DDR3测试方案

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重复以上步骤,分别对Meml〜Mem4分配模型并建立总线时序关系,置完其中一个,单击0K按钮并在弹出窗口单击Copy按钮,将会同时更新其他Memory 模块。

3.分配互连模型有3种方法可设置互连部分的模型:第1种是将已有的SPICE电路模型或S参数模型分配给相应模块;第2种是根据叠层信息生成传输线模型;第3种是将互连模块与印制电路板或封装板关联,利用模型提取工具按需提取互连模型。对前两种方法大家比较熟悉,这里以第3种方法为例介绍其使用过程。 智能化多端口矩阵测试DDR3测试方案DDR3一致性测试和DDR3速度测试之间有什么区别?

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从DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,数据率成倍增加,位宽成倍减小,工作电压持续降 低,而电压裕量从200mV减小到了几十毫伏。总的来说,随着数据传输速率的增加和电压裕 量的降低,DDRx内存子系统对信号完整性、电源完整性及时序的要求越来越高,这也给系 统设计带来了更多、更大的挑战。

Bank> Rank及内存模块

1.BankBank是SDRAM颗粒内部的一种结构,它通过Bank信号BA(BankAddress)控制,可以把它看成是对地址信号的扩展,主要目的是提高DRAM颗粒容量。对应于有4个Bank的内存颗粒,其Bank信号为BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3颗粒有8个Bank,对应Bank信号为BA[2:0],在DDR4内存颗粒内部有8个或16个Bank,通过BA信号和BG(BankGroup)信号控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框图,可以从中看到芯片内部由8个Bank组成(BankO,Bankl,…,Bank7),它们通过BA[2:0]这三条信号进行控制。

DDR3: DDR3釆用SSTL_15接口,I/O 口工作电压为1.5V;时钟信号频率为400〜 800MHz;数据信号速率为800〜1600Mbps,通过差分选通信号双沿釆样;地址/命令/控制信 号在1T模式下速率为400〜800Mbps,在2T模式下速率为200〜400Mbps;数据和选通信号 仍然使用点对点或树形拓扑,时钟/地址/命令/控制信号则改用Fly-by的拓扑布线;数据和选 通信号有动态ODT功能;使用Write Leveling功能调整时钟和选通信号间因不同拓扑引起的 延时偏移,以满足时序要求。DDR3一致性测试可以帮助识别哪些问题?

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高速DDRx总线系统设计

首先简要介绍DDRx的发展历程,通过几代DDR的性能及信号完整性相关参数的 对比,使我们对DDRx总线有了比较所有的认识。随后介绍DDRx接口使用的SSTL电平, 以及新一代DDR4使用的POD电平,这能帮助我们在今后的设计中更好地理解端接匹配、拓 扑等相关问题。接下来回顾一下源同步时钟系统,并推导源同步时钟系统的时序计算方法。 结果使用Cadence的系统仿真工具SystemSI,通过实例进行DDRx的信号完整性仿真和时序 分析。 如果DDR3一致性测试失败,是否需要更换整组内存模块?PCI-E测试DDR3测试高速信号传输

DDR3一致性测试是否适用于超频内存模块?智能化多端口矩阵测试DDR3测试方案

DDR3一致性测试是一种用于检查和验证DDR3内存模块在数据操作和传输方面一致性的测试方法。通过进行一致性测试,可以确保内存模块在工作过程中能够按照预期的方式读取、写入和传输数据。

一致性测试通常涵盖以下方面:

电气特性测试:对内存模块的电压、时钟频率、时序等电气特性进行测试,以确保其符合规范要求。

读写测试:验证内存模块的读取和写入功能是否正常,并确保数据的正确性和一致性。

数据一致性检查:通过检查读取的数据与预期的数据是否一致来验证内存模块的数据传输准确性。

时序一致性测试:确认内存模块的时序设置是否正确,并检查内存模块对不同命令和操作的响应是否符合规范。

并发访问测试:测试内存模块在并发访问和多任务环境下的性能和稳定性。

一致性测试有助于检测潜在的内存问题,如数据传输错误、时序不一致、并发访问等,以确保内存模块在计算机系统中的正常运行。这种测试可以提高系统的稳定性、可靠性,并减少不一致性可能带来的数据损坏或系统故障。 智能化多端口矩阵测试DDR3测试方案

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