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14.在本发明的一个实施例中，所述相关信号包括dqs信号、clk信号和dq信号，所述标志信号为dqs信号。15.在本发明的一个实施例中，所述根据标志信号对示波器进行相关参数配置，具体包括：16.利用示波器分别采集标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值；17.对标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值进行比较，确定标志信号的电平阈值；18.在示波器中配置标志信号的电平阈值。19.在本发明的一个实施例中，所述利用示波器的触发功能将ddr4内存的读写信号进行信号分离，具体包括：20.将标志信号的实时电平幅值与标志信号的电平阈值进行比较；21.将大于电平阈值的标志信号和小于电平阈值的标志信号分别进行信号的分离，得到数据读取和数据写入过程中的标志信号。DDR测试USB眼图测试设备？黑龙江智能化多端口矩阵测试DDR测试
9.DIMM之前介绍的大部分规则都适合于在PCB上含有一个或更多的DIMM，独有例外的是在DIMM里所要考虑到去耦因素同在DIMM组里有所区别。在DIMM组里，对于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓扑结构里，带有少的短线菊花链拓扑结构和树形拓扑结构是适用的。
10.案例上面所介绍的相关规则，在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里，都已经得到普遍的应用。在下面的案例中，我们采用MOSAID公司的控制器，它提供了对DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了IBIS模型，其存储器的模型来自MICRONTechnolgy，Inc。对于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在这里，数据是操作是在1600Mbps下的。对于不带缓存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是来自MicronTechnology，下面所有的波形都是采用通常的测试方法，且是在SDRAMdie级进行计算和仿真的。 DDR测试DDR测试借助协议解码软件看DDR的会出现数据有那些；
DDR测试
DDR总线上需要测试的参数高达上百个，而且还需要根据信号斜率进行复杂的查表修正。为了提高DDR信号质量测试的效率，比较好使用的测试软件进行测试。使用自动测试软件的优点是：自动化的设置向导避免连接和设置错误；优化的算法可以减少测试时间；可以测试JEDEC规定的速率，也可以测试用户自定义的数据速率；自动读/写分离技术简化了测试操作；能够多次测量并给出一个统计的结果；能够根据信号斜率自动计算建立/保持时间的修正值。由于DDR5工作时钟比较高到3.2GHz,系统裕量很小，因此信号的随机和确定性抖动对于数据的正确传输至关重要，需要考虑热噪声引入的RJ、电源噪声引入的PJ、传输通道损耗带来的DJ等影响。DDR5的测试项目比DDR4也更加复杂。比如其新增了nUI抖动测试项目，并且需要像很多高速串行总线一样对抖动进行分解并评估RJ、DJ等不同分量的影响。另外，由于高速的DDR5芯片内部都有均衡器芯片，因此实际进行信号波形测试时也需要考虑模拟均衡器对信号的影响。展示了典型的DDR5和LPDDR5测试软件的使用界面和一部分测试结果。
现做一个测试电路，类似于图5，驱动源是一个线性的60Ohms阻抗输出的梯形信号，信号的上升沿和下降沿均为100ps，幅值为1V。此信号源按照图6的三种方式，且其端接一60Ohms的负载，其激励为一800MHz的周期信号。在0.5V这一点，我们观察从信号源到接收端之间的时间延迟，显示出来它们之间的时延差异。其结果如图7所示，在图中只显示了信号的上升沿，从这图中可以很明显的看出，带有四个地过孔环绕的过孔时延同直线相比只有3ps，而在没有地过孔环绕的情况下，其时延是8ps。由此可知，在信号过孔的周围增加地过孔的密度是有帮助的。然而，在4层板的PCB里，这个就显得不是完全的可行性，由于其信号线是靠近电源平面的，这就使得信号的返回路径是由它们之间的耦合程度来决定的。所以，在4层的PCB设计时，为符合电源完整性（powerintegrity）要求，对其耦合程度的控制是相当重要的。DDR4信号质量自动测试软件报告；
这里有三种方案进行对比考虑：一种是，通过过孔互联的这个过孔附近没有任何地过孔，那么，其返回路径只能通过离此过孔250mils的PCB边缘来提供；第二种是，一根长达362mils的微带线；第三种是，在一个信号线的四周有四个地过孔环绕着。图6显示了带有60Ohm的常规线的S-Parameters，从图中可以看出，带有四个地过孔环绕的信号过孔的S-Parameters就像一根连续的微带线，从而提高了S21特性。
由此可知，在信号过孔附近缺少返回路径的情况下，则此信号过孔会增高其阻抗。当今的高速系统里，在时延方面显得尤为重要。 DDR存储器信号和协议测试；浙江DDR测试配件
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对于DDR2-800，这所有的拓扑结构都适用，只是有少许的差别。然而，也是知道的，菊花链式拓扑结构被证明在SI方面是具有优势的。对于超过两片的SDRAM，通常，是根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。图3显示了不同摆放方式而特殊设计的拓扑结构，在这些拓扑结构中，只有A和D是适合4层板的PCB设计。然而，对于DDR2-800，所列的这些拓扑结构都能满足其波形的完整性，而在DDR3的设计中，特别是在1600Mbps时，则只有D是满足设计的。黑龙江智能化多端口矩阵测试DDR测试
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