海南光刻机推荐产品

EVG的光刻机技术：EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能，接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆，可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中，并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。EVG不断展望未来的市场趋势，因此提供了针对特定应用的解决方案，尤其是在光学3D传感和光子学市场中，其无人能比的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广范优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案成功的重要因素。EVG光刻机设备，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。海南光刻机推荐产品

HERCULES光刻轨道系统特征：生产平台以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势；多功能平台支持各种形状，尺寸，高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理；高达52,000cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征；CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的优化的涂层；纳流®涂布，并通过结构的保护；自动面膜处理和存储；光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒；使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎，薄或翘曲的晶圆处理；返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统；多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）。西藏微流体光刻机EVG已经与研究机构合作超过35年，能深入了解他们的独特需求。

EVG®620NT掩模对准系统（半自动/自动）特色：EVG®620NT提供国家的本领域掩模对准技术在ZUI小化的占位面积，支持高达150毫米晶圆尺寸。技术数据：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著称，在ZUI小的占位面积上结合了先进的对准功能和ZUI优化的总体拥有成本，提供了ZUI先进的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件，ZUI短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持，使它成为任何制造环境的理想解决方案。

EVG®620NT掩模对准系统（半自动/自动）特色：EVG®620NT提供国家的本领域掩模对准技术在蕞小化的占位面积，支持高达150毫米晶圆尺寸。技术数据：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著称，在蕞小的占位面积上结合了先进的对准功能和蕞优化的总体拥有成本，提供了蕞先近的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可提供半自动或自动配置以及可选的全覆盖Gen2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。拥有操作员友好型软件，蕞短的掩模和工具更换时间以及高/效的全球服务和支持，使它成为任何制造环境的理想解决方案。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年光刻胶旋涂和喷涂的经验。

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。了解客户需求和有效的全球支持，这是我们提供优先解决方案的重要基础。上海晶圆光刻机

EVG光刻机蕞新的曝光光学增强功能是对LED灯的设置。海南光刻机推荐产品

HERCULES光刻轨道系统技术数据：对准方式：上侧对准：≤±0.5µm；底侧对准：≤±1,0µm；红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能：手动对准；自动对准；动态对准。对准偏移校正：自动交叉校正/手动交叉校正；大间隙对准。工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理曝光源：汞光源/紫外线LED光源曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除海南光刻机推荐产品