晶圆片膜厚仪特点

时间:2024年05月20日 来源:

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍:VITE是傅里叶频域技术,利用近红外光源的相位剪切技术(Phasesheartechnology)设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...F50-s980测厚范围:4µm-1mm;波长:960-1000nm。晶圆片膜厚仪特点

晶圆片膜厚仪特点,膜厚仪

接触探头测量弯曲和难测的表面CP-1-1.3测量平面或球形样品,结实耐用的不锈钢单线圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射,对1.5mm厚的基板可抑制96%。钢制单线圈外加PVC涂层,蕞大可测厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面,直径17.5mm。CP-C6-1.3探测直径小至6mm的圆柱形和球形样品外侧。CP-C12-1.3用于直径小至12mm圆柱形和球形样品外侧。CP-C26-1.3用于直径小至26mm圆柱形和球形样品外侧。CP-BendingRod-L350-2弯曲长度300mm,总长度350mm的接触探头。用于难以到达的区域,但不会自动对准表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和饮料罐头内壁的接触探头。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直径蕞小的接触探头,配备微型直角反射镜,用来测量小至直径3mm管子的内壁,不能自动对准表面。CP-RA-10mmHigh-2配备微型直角反射镜,可以在相隔10mm的两个平坦表面之间去进行测量。晶圆片膜厚仪特点F50-NIR测厚范围:100nm-250µm;波长:950-1700nm。

晶圆片膜厚仪特点,膜厚仪

Filmetrics 的技术Filmetrics 提供了范围广范的测量生物医疗涂层的方案:支架: 支架上很小的涂层区域通常需要显微镜类的仪器。 我们的 F40 在几十个实验室内得到使用,测量钝化和/或药 物输送涂层。我们有独特的测量系统对整個支架表面的自動厚度测绘,只需在测量时旋轉支架。植入件: 在测量植入器件的涂层时,不规则的表面形状通常是为一挑战。 Filmetrics 提供这一用途的全系列探头。导丝和导引针: 和支架一样,这些器械常常可以用象 F40 这样的显微镜仪器。导液管和血管成型球囊的厚度:大于 100 微米的厚度和可见光谱不透明性决定了 F20-NIR 是这一用途方面全世界众多实验室内很受欢迎的仪器。

非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的,必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数,并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变,这些特性随之改变,所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间,加入二氧化硅层,以增加光学对比,其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数,以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。F50-UV测厚范围:5nm-40µm;波长:190-1100nm。

晶圆片膜厚仪特点,膜厚仪

    铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器,有机发光二极管变异体,以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流,并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样,了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言,就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法,对有机发光二极管而言,则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候,诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是,使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性,同样使这些薄膜层难以测量和建模,从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法,利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合,从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定,剩余显示层分析的关键就解决了。 重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ;0.8 μm (1 sigma)双探头*。芯片膜厚仪用途是什么

F50-XT测厚范围:0.2µm-450µm;波长:1440-1690nm。晶圆片膜厚仪特点

参考材料备用BK7和二氧化硅参考材料。BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-BK71½"x1½"BK7反射基准。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。REF-Si-22"单晶硅晶圆REF-Si-44"单晶硅晶圆REF-Si-66"单晶硅晶圆REF-Si-88"单晶硅晶圆REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片晶圆片膜厚仪特点

信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责