黑龙江高压可控硅模块配件

可控硅鉴别三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。

  阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

  控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

  若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。 淄博正高电气有限公司团队从用户需求出发。黑龙江高压可控硅模块配件

选择可控硅模块时不能只看表面，应参考实际工作条件来选择，选用可控硅模块的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

1.可控硅模块的冷却及环境条件:

(1)强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；

(4)空气相对湿度≤85%；

(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；

(6)气压86—106Kpa；

(7)无剧烈震动或冲击；

(8)若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。 黑龙江高压可控硅模块配件淄博正高电气有限公司一切从实际出发、注重实质内容。

过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

可控硅模块的接线方法

可控硅模块在电力工业中占有重要地位。很多人知道可控硅模块的优点和使用方法，但不知道如何连接可控硅模块。我们来谈谈可控硅模块的连接方法。

单个晶闸管反向并联。记得增加RC保护电路。控制交流电，单向晶闸管一定要反向并联，因此2和3应短接使用。

可控硅的介绍：

这是一种由三个晶闸管引起的共正晶闸管模块，主要用于三相半波整流电路。

或者三相全控桥可以由一个普通的负三相半波整流器构成。

调速器：红色，蓝色，黑色，3根电线，红色电池正极，黑色电池负极，蓝色连接电机负极，电机正极带一根线到电池正极。 淄博正高电气有限公司和客户携手诚信合作，共创辉煌！

断一个可控硅元件是否完好，工程师需要从四个方面进行检查，首先是判断该元件的三个PN结应完好，其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通，第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通，第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件，才是符合设计使用要求的。

  想要看一个可控硅元件是否符合以上要求，其实非常简单，只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压)，此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 淄博正高电气有限公司在行业的影响力逐年提升。江西可控硅模块哪家好

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双向可控硅晶闸管使用中，应特别注意以下事项：

1.灵敏度

双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。

2.可控硅过载的保护

可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件：

（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；

（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取；

（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以。

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