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    在许多电子产品中，电容器是必不可少的电子元件，它在电路中的功能是整流器的平滑滤波、退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等等。电容器的类型和结构种类比较多，小伙伴们使用时，不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下的优缺点、机械或环境的限制条件等。电容定义：电容是表征电容器容纳电荷多少的物理量。电容的符号是C。公式：在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等。各单位的换算关系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，电容是电容器的固有参数。对于平板电容器：ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。电容符号：电容是一种储能元件,储存的电场能量为：电容串联电路分析：串联后的等效电容容量倒数等于各个电容容量倒数之和;串联后的各个电容的电荷量相等；串联后的耐压等于各个电容电压之和。电容并联电路分析并联后的等效电容容量等于各个电容容量之和。深圳国巨电容代理商公司。深圳独石电容触摸屏

    电容都有一定的直流偏置，电容量比标称值小很多，所以要注意实际容值是否满足设计要求。纹波电流作为DCDC的输入和输出电容，都会有一定的纹波电流，由于ESR的存在会导致一定的温升。加上环境温度，不能超过电容的额定温度，例如X5R电容极高额度温度是85℃。通常由于多层陶瓷电容ESR较小，能承受的纹波电流较大。自谐振频率电容由于ESL的存在，都有一个自谐振频率。大容量的电容，自谐振频率较低，只有1-2MHz。所以，为了提高电源的高频效应，大量小容值的去耦电容是必须的。此外，对于开关频率很高的DCDC芯片，要注意输入输出电容的自谐振频率。ESR设计DCDC电路，需要知道输出电容的ESR，来计算输出电压纹波。多层陶瓷电容的ESR通常较低，大约几到几十毫欧。5安规电容对于我们家用的电子设备，极终都是220V交流市电供电。电源适配器为了减少对电网的干扰，通过相关EMC测试，都会加各种滤波电容。下图为一个简易的电路示意图：对于L和N之间的电容叫X电容，L、N与PE或GND之间的电容叫Y电容。由于220V交流电具有危险性，会威胁人的人身安全，电子产品都需要满足相关安规标准，例如GB4943和UL60950的相关测试要求。因此，X电容和Y电容与这些测试直接相关，所以也叫安规电容。深圳CBB电容触摸屏东莞风华电容代理商公司。

    随着开关频率和温度的升高，ESR会下降。额定纹波电流电容的纹波电流，要满足DCDC设计的输入和输出电容的RMS电流的需求。铝电解电容的额定纹波电流需要根据开关频率来修正。寿命铝电解电容的寿命比较短，选型需要注意。而寿命是和工作温度直接相关的，规格书通常给出产品最高温度时的寿命，例如105℃时，寿命为2000小时。根据经验规律，工作温度每下降10℃，寿命乘以2。如果产品的设计使用寿命为3年，也就是26280小时。则10*log2(26280/2000)=℃，那么设计工作温度不能超过65℃。聚合物铝电解电容像Intel的CPU这样的大功耗器件，一颗芯片80多瓦的功耗，核电流几十到上百安，同时主频很高，高频成分多。这时对去耦电容的要求就很高：·电容值要大，满足大电流要求；·额定RMS电流要大，满足大电流要求；·ESR要小，满足高频去耦要求；·容值稳定性要好；·表面帖装，高度不能太高，因为通常放置在CPU背面的BOTTOM层，以达到极好的去耦效果。选择聚合物铝电解电容极为合适。对于音频电路，通常需要用到耦合、去耦电容，由于音频的频率很低，所以需要用大电容，此时聚合物铝电解电容也很合适。3钽电容根据前文相关资料的来源，可以发现。

    引申阅读·ThinFilmCapacitor-AVX·Ceramiccapacitor·BMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介质的分类根据EIA-198-1F-2002，陶瓷介质主要分为四类：ClassI：具有温度补偿特性的陶瓷介质，其介电常数大都较低，不超过200。通常都是顺电性介质(Paraelectric)，温度、频率以及偏置电压下，介电常数比较稳定，变化较小。损耗也很低，耗散因数小于。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性质极稳定，应用极多的是C0G电容，也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1标准中规定的代号，即NegativePositiveZero，也就是用N和P来表示正负偏差。由于介电常数低，C0G电容的容值较小，极大可以做到，0402封装通常极大只有1000pF。ClassII，III：其中，温度特性A-S属于ClassII，介电常数几千左右。温度特性T-V属于ClassIII，介电常数极高可以到20000，可以看出ClassIII的性能更加不稳定。根据IEC的分类，ClassII和III都属于第二类，高介电常数介质。像X5R和X7R都是ClassII电容，在电源去耦中应用较多，而Y5V属于ClassIII电容，性能不太稳定，个人觉得现在应用不多了。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors。广东国巨电容代理商公司。

    SuperCapacitor）超级电容器：一种相对传统电容器而言具有更高容量的一种电容器。是介于电容器和电池之间的储能器件，它既具有电容器可以快速充放电的特点，又具有电池的储能特性。通过极化电解质来储存能量，它与普通电容的比较大区别是它是一种电化学的物理部件，但本身并不进行化学反应，超级电容的储电量特别大，达到法拉级的电容量。由于具有功率密度高、循环寿命长、安全可靠等特点，现已已经被广泛应用于混合电动汽车、直流大功率输出设备等多个领域。超级电容器在结构上与电解电容器非常相似，两者的主要区别在于制造电极的材料。早期的超级电容器的电极采用碳，碳电极材料的表面积很大，电容的大小取决于表面积和电极的距离，这种碳电极的大表面积再加上很小的电极距离，使超级电容器的容值可以非常较大多数超级电容器可以做到法拉级，一般容值范围为1～5000F。[1]如何让超级电容器兼具高功率、高能量，长期以来科学家一直都在寻找理想的材料。超级电容器和电池或电解电容器的主要区别是电极材料来自网上侵删事件聚焦:什么是超级电容？它们能否在未来的电动汽车中取代电池？。风华高压电容原装现货。福田区薄膜电容

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    精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-。+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。额定电压在低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的长久损坏。电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。绝缘电阻直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。损耗角正切(tgδ)：电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。深圳独石电容触摸屏

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