淄博MTDC750晶闸管智能模块

时间:2021年12月21日 来源:

晶闸管智能调压模块的使用方法

1、各功能端相对com端必须为正,若com端为负极,极性相反,则晶闸管智能调压模块主回路输出端可能失控。

2、晶闸管智能调压模块各功能端的控制特性均为正极性,即控制电压越高,模块强电主回路输出电压越高。

3、晶闸管智能调压模块在某一时刻宜使用一种输入控制方式,若2种以上方式同时输入使用,则输入信号较强的一种起主要作用。

4、晶闸管智能调压模块电源为上进下出,三相交流电路的进线R、S、T无相序要求,导线粗细按实际使用电流选择。

5、晶闸管智能调压模块N线*为模块内部开关电源用,用1平方细导线即可,N线与各输入控制端之间为全隔离绝缘设计。

6、晶闸管智能调压模块在使用过程中若发生过流现象,应首先检查负载有无短路等故障。可在模块的进线R、S、T端之前安装快速熔断器进行过流保护,规格可按实际负载电流的1.5倍选配。

7、智能晶闸管智能调压模块应与散热器配合使用,在机柜中与其他器件之间有足够的散热空间。必要时可安装风扇强制散热。 正高电气倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。淄博MTDC750晶闸管智能模块

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晶闸管模块常用的保护措施

① 过电流保护

过流保护一般都推荐外接快速熔断器的方法,可将快速熔断器串联于模块的交流输入端即可,三相模块三只,单相模块一只。熔断器额定电压要大于电路工作电压,额定电流一般取负载电流的百分之七十到八十。但快速熔断器对于短路引起的过流保护效果很好,对于一般性的过流并不能起到很好的保护效果,因为两倍于快速熔断器额定值的电流在几秒内才能熔断。如果要取得较好的保护效果,除采用快速熔断器外可采用带过流保护功能的模块或具有过流保护功能的控制板。

②过电压保护

模块的过压保护,推荐使用阻容吸收和压敏电阻两种方式。

阻容吸收回路能有效晶闸管由导通到截止时产生的过电压,有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收并联在模块每一只晶闸管芯片上即可,反并联芯片可共用一组。 淄博MTDC750晶闸管智能模块正高电气提供周到的解决方案,满足客户不同的服务需要。

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    水冷装置在作此项调试时,必须通水冷却。当调试场地的电源供不出装置的额定电流时,额定电流的整定,可放在现场满负荷运行时进行。但是,应先在小电流的状况下,判定一下电流取样回路的工作是否正常。(W5)主控板上的DIP开关均拨在OFF位置,面板上的“给定”电位器逆时针旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管壳上,测逆变触发脉冲的它激频率(它激频率可以通过W6来调节),调节W5微调电位器,使频率表的读数与示波器测得的相一致。若中频电源用的是**中频频率表,则可免去此步调试。但还是推荐使用直流毫安表头改制的频率表,这一方面是可以测得比较高它激频率,另一方面是价格便宜。(W6)首先检查逆变晶闸管的门级线连接是否正确,逆变未级上的LED亮度是否正常,不亮则说明逆变末级的E和C接线端子接反了;再把主控板上CON3-5对外的连线解掉,看熄灭的LED逆变末级是否处在逆变桥的对角线位置。把主控板上的DIP开关均拨在OFF位置,把面板上的“给定”电位器逆时针旋到底,调节控制板上的W6微调电位器,使比较高它激频率高于槽路谐振频率的,W3、W4微调电位器旋在中间位置。把面板上的“给定”电位器顺时针稍微旋大,这时它激频率开始从高往底扫描(从频率表中可以看出)。

晶闸管智能模块导通角与模块输出电流的关系

晶闸管模块的导通角与模块能输出的较大电流有直接关系,模块的标称电流是较大导通角时能输出的较大电流。在小导通角(输出电压与输入电压比值很小)下输出的电流峰值很大,但电流的有效值很小(直流仪表一般显示平均值,交流仪表显示非正弦电流时比实际值小),但是输出电流的有效值很大,半导体器件的发热与有效值的平方成正比,会使模块严重发热甚至烧毁。因此,模块应选择在极较大导通角的65%以上工作,及控制电压应在5V以上。 正高电气不断从事技术革新,改进生产工艺,提高技术水平。

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    构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结。正高电气技术力量雄厚,工装设备和检测仪器齐备,检验与实验手段完善。淄博MTDC750晶闸管智能模块

正高电气产品适用范围广,产品规格齐全,欢迎咨询。淄博MTDC750晶闸管智能模块

晶闸管智能模块工作原理

晶闸管智能模块用于电加热控制柜内,通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度,然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压,形成一个温度闭环系统,来保持炉内温度恒定。

晶闸管智能模块过压保护:

晶闸管智能模块工作时由导通到截止时或因雷击及其他原因都会产生能量较大,持续时间较长的过电压,此电压直接作用与晶闸管上会使晶闸管超过额定电压而击穿,为了保护晶闸管,常采用压敏电阻吸收与阻容吸收的方法来吸收过电压,有效避免晶闸管被击穿。 淄博MTDC750晶闸管智能模块

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