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    第二电极412为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和第二cgl490分别被定位在发光部分430与第二发光部分450之间和第二发光部分450与第三发光部分470之间。即，发光部分430、cgl480、第二发光部分450、第二cgl490和第三发光部分470顺序堆叠在电极410上。换言之，发光部分430被定位在电极410与cgl480之间，第二发光部分450被定位在cgl480与第二cgl490之间。此外，第三发光部分470被定位在第二电极412与第二cgl490之间。发光部分430可以包括顺序堆叠在电极410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即，hil432和htl434被定位在电极410与eml420之间，hil432被定位在电极410与htl434之间。此外，etl436被定位在eml420与cgl480之间。eml420包含蓝色掺杂剂422。例如，蓝色掺杂剂422可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是eml420还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂422的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。第二发光部分450可以包括第二htl452、第二eml440和第二etl454。第二htl452被定位在cgl480与第二eml440之间，第二etl454被定位在第二eml440与第二cgl490之间。华强北捷捷微正规代理商。揭阳快恢复二极管哪里买

    r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外，m为2至5的整数，n为1至3的整数，以及m+n小于或等于6。例如，延迟荧光掺杂剂152可以选自式2。[式2]延迟荧光掺杂剂152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外，a和b分别由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如，式3的延迟荧光掺杂剂152可以选自式4。[式4]磷光掺杂剂154可以由式5表示。[式5]在式5中，r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，以及r1与r2或r2与r3或r3与r4结合形成稠合的c6-c30芳族环。此外，n为1至3的整数。例如，磷光掺杂剂154可以选自式6。[式6]相对于延迟荧光掺杂剂152，磷光掺杂剂154的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂154相对于延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约％至％，并且推荐约％至％。尽管未示出，但eml150还包含基质。在eml150中。杭州激光二极管专卖店广东强茂二极管代理商公司。

    栅极绝缘层324可以被图案化成具有与栅极电极330相同的形状。在栅极电极330上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层332。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。层间绝缘层332包括暴露半导体层322的两侧的接触孔334和第二接触孔336。接触孔334和第二接触孔336被定位在栅极电极330的两侧以与栅极电极330间隔开。接触孔334和第二接触孔336形成为穿过栅极绝缘层324。或者，当栅极绝缘层324被图案化成具有与栅极电极330相同的形状时，接触孔334和第二接触孔336形成为只穿过层间绝缘层332。在层间绝缘层332上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极340和漏电极342。源电极340和漏电极342相对于栅极电极330彼此间隔开，并且分别通过接触孔334和第二接触孔336接触半导体层322的两侧。半导体层322、栅极电极330、源电极340和漏电极342构成tfttr。tfttr用作驱动元件。在tfttr中，栅极电极330、源电极340和漏电极342被定位在半导体层322上方。即，tfttr具有共面结构。或者，在tfttr中，栅极电极可以被定位在半导体层下方，并且源电极和漏电极可以被定位在半导体层上方，使得tfttr可以具有倒置交错结构。

    图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二，如图4所示，该系统还包括报警电路21，所述报警电路21与所述微控制器15电性连接，在所述第二对比的结果超出第二校准数据表的合理范围的情况下，所述微控制器15发送报警信号给所述报警电路21，所述报警电路21进行报警，该报警电路21可以为发光设备的灯光报警，也可以是发声设备的声音报警。在一个实施例中，该驱动板12与该发光二极管11连接，微控制器15控制该驱动板15给该发光二管11输出电流的大小，该微控制器15可以设置一个变化的电流值范围，驱动板12将变化的电流值输出给该发光二极管11，该微控制器15也可以输出不同占空比的pwm信号，依据该pwm信号和预设的最大电流值，确定该驱动板12输入给该发光二极管11的该电流值，确定的过程包括：输出电流＝pwm占空比*设置的最大电流，实现发光二极管11电流的精细控制。在一个实施例中，在该电压采集电路13是运算差分电路的情况下，通过运算差分电路接入该发光二极管11的两端，获取该发光二极管11的压差值。例如，图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图，如图5所示，该发光二极管11两端的电压分别为v1和v2，输出的电压vout如公式1所示：当r1＝r3。乐山二极管找巨新科。

    第二eml440包含延迟荧光掺杂剂442和磷光掺杂剂444。延迟荧光掺杂剂442具有发射波长范围，磷光掺杂剂444具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂442可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂444可以由式5表示。磷光掺杂剂444相对于延迟荧光掺杂剂442的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂444相对于延迟荧光掺杂剂442的重量百分比可以在约％至％，推荐地约％至％的范围内。尽管未示出，但是第二eml440还可以包含基质。基质可以在第二eml440中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第三发光部分470可以包括第三htl472、第三eml460、第三etl474和eil476。第三htl472被定位在第二cgl490与第三eml460之间，第三etl474被定位在第三eml460与第二电极412之间。此外，eil476被定位在第三etl474与第二电极412之间。第三eml460包含第二蓝色掺杂剂462。第二蓝色掺杂剂462具有与第二eml440中的延迟荧光掺杂剂442和磷光掺杂剂444相比更短的发射波长范围。例如。原装强茂二极管采购。揭阳快恢复二极管哪里买

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    以及磷光掺杂剂244具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，以及第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂242可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂244可以由式5表示。磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比可以在约％至％的范围内，推荐约％至％。尽管未示出，但是eml240还可以包含基质。基质可以在eml240中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl274和eil276。第二htl272被定位在cgl280与第二eml260之间，第二etl274被定位在第二eml260与第二电极230之间。此外，eil276被定位在第二etl274与第二电极230之间。第二eml260包含蓝色掺杂剂262。蓝色掺杂剂262具有与eml240中的延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂262可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是第二eml260还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂262的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。揭阳快恢复二极管哪里买

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