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    图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二，如图4所示，该系统还包括报警电路21，所述报警电路21与所述微控制器15电性连接，在所述第二对比的结果超出第二校准数据表的合理范围的情况下，所述微控制器15发送报警信号给所述报警电路21，所述报警电路21进行报警，该报警电路21可以为发光设备的灯光报警，也可以是发声设备的声音报警。在一个实施例中，该驱动板12与该发光二极管11连接，微控制器15控制该驱动板15给该发光二管11输出电流的大小，该微控制器15可以设置一个变化的电流值范围，驱动板12将变化的电流值输出给该发光二极管11，该微控制器15也可以输出不同占空比的pwm信号，依据该pwm信号和预设的最大电流值，确定该驱动板12输入给该发光二极管11的该电流值，确定的过程包括：输出电流＝pwm占空比*设置的最大电流，实现发光二极管11电流的精细控制。在一个实施例中，在该电压采集电路13是运算差分电路的情况下，通过运算差分电路接入该发光二极管11的两端，获取该发光二极管11的压差值。例如，图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图，如图5所示，该发光二极管11两端的电压分别为v1和v2，输出的电压vout如公式1所示：当r1＝r3。深圳强茂二极管代理商公司。东莞整流二极管哪里买

    r2＝r4，输出的电压vout如公式2所示：vout接入到微控制器15的模数转换的ad采样口，该微控制器15完成对该发光二极管11压差值的采样。在一个实施例中，该温度采集电路14获取发光二极管11的温度可以有多种方式，其中，在该温度采集电路14采用热敏电阻(negativetemperaturecoefficient，简称为ntc)电路的情况下，温度采集电路14使用ntc方案，ntc体积小，可以离该发光二极管11非常近，同时精度高，灵敏度高，费用低，非常合适用来测量该发光二极管11的工作温度。ntc的阻值随着温度的升高而降低，图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图，如图6所示，将ntc与一个高精度电阻r1串联，当ntc阻值变化时，ntc上分到的电压也随之改变。后面的运放构成一个电压跟随器，提高输出信号的驱动能力，减少受到干扰的可能。电路输出电平值vout如公式3所示：vout接到微控制器15的模数转换的ad采样口，完成该输出电平值的采集。微控制器15根据如下的公式4将vout转化为ntc当前温度的阻值，再与该ntc厂家提供的温度-阻值曲线图对比，得出当前ntc的温度，也就是该发光二极管11当前的工作温度。上述温度采集电路14。北京进口二极管质量好的华强北捷捷微正规代理商。

    oledd1包括电极120、面向电极120的第二电极130、和在电极120与第二电极130之间的有机发光层140。有机发光层140包括包含具有发射波长范围的延迟荧光掺杂剂152和具有第二发射波长范围的磷光掺杂剂154的eml150。电极120包含具有相对高的功函数的导电材料并用作阳极。例如，电极120可以包含透明导电材料例如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)，但不限于此。当oledd1为顶部发射型时，可以在电极120下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。第二电极130包含具有相对低的功函数的导电材料并用作阴极。例如，第二电极130可以包含镁(mg)或铝-镁合金(al-mg)，但是不限于此。有机发光层140包括定位在电极120上方并包含延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154的eml150。延迟荧光掺杂剂具有发射波长范围，磷光掺杂剂具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。磷光掺杂剂的第二比较大发射波长可以大于延迟荧光掺杂剂的比较大发射波长。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂152可以由式1表示。[式1]在式1中。

    可以将流过一pmos管mp1的电流按1-7倍的比例进行复制，如当只有一开关s1闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:1的比例进行复制，当一开关s1和二开关s2同时闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:3的比例进行复制，当一开关s1、二开关s2和三开关s3都闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:7的比例进行复制。按照相同的原理可以设置多种开关组合实现想要的比例。二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流，如图1所示给出二电流镜单元的一种实现形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的栅极连接三pmos管mp3的栅极，其源极连接电源电压，其漏极连接二电流镜单元的输出端。像素内偏压调节模块中三电阻r3和五pmos管mp5分别与像素外偏置电压产生模块中的一电阻r1和二pmos管mp2、二电阻r2和四pmos管mp4钳位对称，再利用一电流镜单元和二电流镜单元镜像的电流，可以控制五pmos管mp5的源极处产生的浮动地电压大小。本实施例中一pmos管mp1栅极引出一电流镜单元偏置电压为一电流镜单元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供电，比例电流镜结构按不同比例镜像一pmos管mp1的电流使得像素内的五pmos管mp5的源极电压达到步进电压的整数倍大小。东莞乐山二极管代理商公司。

    实时监控发光二极管的工作温度、正向压降值和电流值，并依据良好校准数据表对压差值进行校准，在压差值超出第二校准数据表的合理范围后，进行报警提醒，解决了单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题，实现了单个led灯的使用寿命的准确预测和报警。在一个实施例中，还提供了一种医疗设备，包括存储器、处理器和发光二极管11，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现发光二极管的控制方法的步骤。根据本发明的另一个方面，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例的该的方法的步骤。本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，该的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。华强北乐山正规代理商。无锡panjit二极管专卖店

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    其中a和b分别由式3-1和式3-2表示：[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。8.根据实施方案7所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂选自式4：[式4]9.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂由式5表示：[式5]其中r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，其中r1与r2或r2与r3或r3与r4结合以形成稠合的c6-c30芳族环，以及其中n为1至3的整数。10.根据实施方案9所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂选自式6：[式6]11.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述发光材料层还包含基质。12.根据实施方案11所述的有机发光二极管，其中相对于所述基质，所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比为20％至70％，以及所述磷光掺杂剂的重量百分比为％至2％。13.根据实施方案11所述的有机发光二极管，其中所述基质由式7-1或式7-2表示，[式7-1][式7-2]其中在式7-1中，x为o、s或nr，以及r为c6-c30芳基，其中在式7-1和式7-2中，y为o或s，以及其中在式7-1和式7-2中。东莞整流二极管哪里买

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