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钽电容的主要厂商就是Kemet、AVX、Vishay。钽属于比较稀有的金属,因此,钽电容会比其他类型的电容要贵一点。但是性能要比铝电解电容要好,ESR更小,损耗更小,去耦效果更好,漏电流小。下图是Kemet一款固态钽电容的参数表:截图自Kemet规格书额定电压固态钽电容的工作电压需要降额设计。正常情况工作电压要低于额定电压的50%;高温环境或负载阻抗较低时,工作电压要低于额定电压的30%。具体降额要求应严格按照规格书要求。还需要注意钽电容的承受反向电压的情况,交流成分过大,可能会导致钽电容承受反向电压,导致钽电容失效。固态钽电容的主要失效模式是短路失效,会直接导致电路无法工作,甚至起火等风险。因此,需要额外注意可靠性设计,降低失效率。对于一旦失效,就会造成重大事故的产品,建议不要使用固态钽电容。额定纹波电流纹波电流流过钽电容,由于ESR存在会导致钽电容温升,加上环境温度,不要超过钽电容的额定温度以及相关降额设计。4片状多层陶瓷电容片状多层陶瓷电容应该是出货量极大的电容,制造商也比较多,像三大日系TDK、muRata、TaiyoYuden,美系像KEMET、AVX(已经被日本京瓷收购了)。三大日系做的比较好的就是有相应的选型软件。巨新科是风华电容原产渠道。深圳瓷片电容型号
但使用久了,寿命就有可能降低。电容的介质损耗电容器在电场作用下消耗的能量,通常用损耗功率和电容器的无功功率之比,即损耗角的正切值表示。损耗角越大,电容器的损耗越大,损耗角大的电容不适于高频情况下工作。DF值是高还是低,就同一品牌、同一系列的电容器来说,与温度、容量、电压、频率……都有关系;当容量相同时,耐压愈高的DF值就愈低。此外温度愈高DF值愈高,频率愈高DF值也会愈高。电容的漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而,由于铝氧化膜介质上浸有电解液,在施加电压时,重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常,漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I=K×CV。漏电流I的单位是μA,K是常数。一般来说,电容器容量愈高,漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高,电容的漏电流也愈大,因此降低工作电压亦可降低漏电流。电容的外型尺寸电容的外型尺寸与重量及接脚型态相关。singleended是径向引线式,screw是锁螺丝式,另外还有贴片铝电解电容等。至於重量,同容量同耐压,但品牌不同的两个电容做比较,重量一定不同;而外型尺寸更与外壳规划有关。一般来说。盐田区电解电容质量好的国巨电容原装现货就找巨新科。
Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容,也就是MLCC,片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型,其标准化封装,尺寸小,适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板,自己拍的照片,加了艺术效果;没有标引用和出处的图片和内容,绝大多数都是我自己画或弄出来的,剩下一点点可能疏忽忘加了;标引用的图片,很多都是我重新加工的,例如翻译或几张图拼在一起等等,工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示:原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示:原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化,形成一体化结构,所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容,也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进,可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此,ThinFilm电容性能比较好,极小容值可以做到,而容差可以做到;比通常MLCC要好很多,像Murata的GJM系列,极小容值是,容差通常都是;因此,ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域,AVX有Accu-P®系列。
200度)。应用:脉冲、耦合、旁路等电路单片陶瓷电容器。通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,AVX公司生产的贴片电容有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。贴片电容的种类和特点-21ic中国电子网有机介质电容器:例如涤纶电容、薄膜电容器,这类电容经常用在音箱上,其特性是比较精密、耐高温高压。聚酯(涤纶)电容(CL)电容量:40p--4μ额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差。应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路聚苯乙烯电容(CB)电容量:10p--1μ额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大。应用:对稳定性和损耗要求较高的电路聚丙烯电容(CBB)电容量:1000p--10μ额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差。应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路电解电容器:显卡等产品使用的基本都是电解电容。小伙伴们熟悉的铝电容,钽电容其实都是电解电容。如果说电容是电子元器件中重要和不可取代的元件的话,那么电解电容器又在整个电容产业中占据了半壁江山。电解电容的性能特点:单位体积的电容量非常大,比其它种类的电容大几十到数百倍。国巨安规电容原装现货。
电容并联电路分析并联后的等效电容容量等于各个电容容量之和。并联后的各个电容两端电压相等;并联后的耐压取决于耐压小的那个电容电压。电容器的类型电容器是一种两块导体中间夹着一块绝缘体(介质)构成的电子元件。电容的类型按照容量是否可变分为固定电容器和可变电容器两大类;按照介质类型可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容,在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。无机介质电容器:包括陶瓷电容以及云母电容等。在CPU上我们会经常看到陶瓷电容。陶瓷电容的综合性能很好,可以应用GHz级别的超高频器件上,比如CPU/GPU。当然,它的价格也很贵。云母电容(CY)电容量:10p--0。1μ额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小。应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路高频瓷介电容(CC)电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好。应用于高频电路。低频瓷介电容(CT)电容量:10p--4。7μ额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差。应用:要求不高的低频电路玻璃釉电容(CI)电容量:10p--0。1μ额定电压:63--400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温。华科高压电容原装现货。广东薄膜电容触摸屏
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引申阅读·ThinFilmCapacitor-AVX·Ceramiccapacitor·BMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介质的分类根据EIA-198-1F-2002,陶瓷介质主要分为四类:ClassI:具有温度补偿特性的陶瓷介质,其介电常数大都较低,不超过200。通常都是顺电性介质(Paraelectric),温度、频率以及偏置电压下,介电常数比较稳定,变化较小。损耗也很低,耗散因数小于。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors,Page26性质极稳定,应用极多的是C0G电容,也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1标准中规定的代号,即NegativePositiveZero,也就是用N和P来表示正负偏差。由于介电常数低,C0G电容的容值较小,极大可以做到,0402封装通常极大只有1000pF。ClassII,III:其中,温度特性A-S属于ClassII,介电常数几千左右。温度特性T-V属于ClassIII,介电常数极高可以到20000,可以看出ClassIII的性能更加不稳定。根据IEC的分类,ClassII和III都属于第二类,高介电常数介质。像X5R和X7R都是ClassII电容,在电源去耦中应用较多,而Y5V属于ClassIII电容,性能不太稳定,个人觉得现在应用不多了。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors。深圳瓷片电容型号
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