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    还可以做延时电路，极常见的就是上电延时复位；一些定时芯片如NE556，可以产生三角波。·谐振源：与电感一起组成LC谐振电路，产生固定频率的信号。利用电容通高频、阻低频、隔直流的特性，电容还可以用作：电源去耦电源去耦应该是电容极大范围的应用，各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容，目的就是保持供电电压的稳定。在DCDC电路中，需要选择合适的输入电容和输出电容来降低电压纹波。需要计算出相关参数。像IC工作时，不同时刻需要的工作电流是不一样的，因此，也需要大量的去耦电容，来保证工作电压得稳定。耦合隔直设计电路时，有些情况下，只希望传递交流信号，不希望传递直流信号，这时候可以使用串联电容来耦合信号。例如多级放大器，为了防止直流偏置相互影响，静态工作点计算复杂，通常级间使用电容耦合，这样每一级静态工作点可以单独分析。例如PCIE、SATA这样的高速串行信号，通常也使用电容进行交流耦合。旁路滤波顾名思义就是将不需要的交流信号导入大地。滤波其实也是一个意思。在微波射频电路中，各种滤波器的设计都需要使用电容。此外，像EMC设计，对于接口处的LED灯，都会在信号线上加一颗滤波电容，这样可以提高ESD测试时的可靠性。华科电容一级代理找巨新科。光明区瓷片电容公司

    但不能和双电层电容相比）。价格低廉。比其它种类电容，在价格上具有压倒性优势，因为其组成材料都是普通的工业材料。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。新型的电解电容发展的非常快，某些产品的性能已达到无机电容器的水准，电解电容正在替换某些无机和有机介质电容器。电解电容的使用范围相当，基本上，有电源的设备都会使用到电解电容。电解电容的分类，传统的方法都是按阳极材质，比如说铝或者钽。所以，电解电容按阳极分，为以下几种：铝电解电容（CL）电容量：0。47--10000μ额定电压：主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大。应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等不管是SMT贴片工艺的（“贴片电容”，识别方式是底坐有黑色橡胶），还是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它们的阳极材质是铝，那么他们就都叫做铝电解电容。电容的封装方式和电容的品质本身并无直接联系，电容的性能只取决于具体型号钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）电容量：0。1--1000μ额定电压：6。3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容。应用：在要求高的电路中代替铝电解电容阳极由钽构成，就是那种我们在显卡上见到的黄色或黑色小颗粒。宝安区国巨电容专卖店风华电容代理商巨新科。

    Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型，其标准化封装，尺寸小，适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板，自己拍的照片，加了艺术效果；没有标引用和出处的图片和内容，绝大多数都是我自己画或弄出来的，剩下一点点可能疏忽忘加了；标引用的图片，很多都是我重新加工的，例如翻译或几张图拼在一起等等，工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示：原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示：原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化，形成一体化结构，所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容，也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进，可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此，ThinFilm电容性能比较好，极小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，极小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域，AVX有Accu-P®系列。

    有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线，非常全，不得不再次推荐一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI电容ClassI电容应用极多的是C0G电容，性能稳定，适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。C0G电容的容值十分稳定，基本不随外界条件(频率除外)变化，下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。图片来自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。图片来自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高频系列，可见GQM系列高频性能更好，自谐振频率和Q值更高，一些高频性能要求很高的场合，可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜，更加通用，例如EMC滤波。ClassII和ClassIII电容ClassII和ClassIII电容都是高介电常数介质，性能不稳定，容值变化范围大，通常用作电源去耦或者信号旁路。以Murata一款22uF、、X5R电容为例，相关特性曲线：图片来自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII电容，容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时。风华电容原装现货就找巨新科。

    但使用久了，寿命就有可能降低。电容的介质损耗电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。DF值是高还是低，就同一品牌、同一系列的电容器来说，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低。此外温度愈高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高。电容的漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I＝K×CV。漏电流I的单位是μA，K是常数。一般来说，电容器容量愈高，漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高，电容的漏电流也愈大，因此降低工作电压亦可降低漏电流。电容的外型尺寸电容的外型尺寸与重量及接脚型态相关。singleended是径向引线式，screw是锁螺丝式，另外还有贴片铝电解电容等。至於重量，同容量同耐压，但品牌不同的两个电容做比较，重量一定不同；而外型尺寸更与外壳规划有关。一般来说。华南华科电容代理商公司。龙岗区电容

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    性能可以差距很大，总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。可变电容器空气介质可变电容器可变电容量：100--1500p主要特点是损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等。应用：电子仪器，广播电视设备等薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大。应用：通讯，广播接收机等薄膜介质微调电容器可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿陶瓷介质微调电容器可变电容量：主要特点：损耗较小，体积较小应用于精密调谐的高频振荡回路独石电容容量范围：ΜF耐压：二倍额定电压。应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。简单的平行板电容器是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极。多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。它是一个多层叠合的结构，由多个简单平行板电容器的并联体。独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定。光明区瓷片电容公司

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