安徽单靶磁控溅射分类

真空磁控溅射镀膜工艺具备以下特点：1、沉积速率大。由于采用高速磁控电极，可获得的离子流很大，有效提高了此工艺镀膜过程的沉积速率和溅射速率。与其它溅射镀膜工艺相比，磁控溅射的产能高、产量大、于各类工业生产中得到普遍应用。2、功率效率高。磁控溅射靶一般选择200V-1000V范围之内的电压，通常为600V，因为600V的电压刚好处在功率效率的较高有效范围之内。3、溅射能量低。磁控靶电压施加较低，磁场将等离子体约束在阴极附近，可防止较高能量的带电粒子入射到基材上。磁控溅射的优点：基板低温性。安徽单靶磁控溅射分类

真空磁控溅射为什么必须在真空环境？溅射过程是通过电能，使气体的离子轰击靶材，就像砖头砸土墙，土墙的部分原子溅射出来，落在所要镀膜的基体上的过程。如果气体太多，气体离子在运行到靶材的过程中，很容易跟路程中的其他气体离子或分子碰撞，这样就不能加速，也溅射不出靶材原子来。所以需要真空状态。而如果气体太少，气体分子不能成为离子，没有很多可以轰击靶材，所以也不行。只能选择中间值，有足够的气体离子可以轰击靶材，而在轰击过程中，不至于因为气体太多而相互碰撞致使失去太多的能量的气体量。所以必须在较为恒定的真空状态下。此状态根据气体分子直径和分子自由程计算。一般在0.2-0.5Pa之间。磁控溅射仪器磁铁有助于加速薄膜的生长，因为对原子进行磁化有助于增加目标材料电离的百分比。

脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲溅射可以有效地抑制电弧产生进而消除由此产生的薄膜缺陷，同时可以提高溅射沉积速率，降低沉积温度等一系列明显的优点，是溅射绝缘材料沉积的首先选择的工艺过程。高功率脉冲磁控溅射技术作为一种高离化率物理中气相沉积技术，可以明显提高薄膜结构可控性，进而获得优异的薄膜性能，对薄膜工业的发展有重要意义。近几年来，高功率脉冲磁控溅射技术在国内外研究领域和工业界受到了普遍关注和重视。

磁控溅射概述：溅射是一种基于等离子体的沉积过程，其中高能离子向目标加速。离子撞击目标，原子从表面喷射。这些原子向基板移动并结合到正在生长的薄膜中。磁控溅射是一种涉及气态等离子体的沉积技术，该等离子体产生并限制在包含要沉积的材料的空间内。靶材表面被等离子体中的高能离子侵蚀，释放出的原子穿过真空环境并沉积到基板上形成薄膜。在典型的溅射沉积工艺中，腔室首先被抽真空至高真空，以较小化所有背景气体和潜在污染物的分压。达到基本压力后，包含等离子体的溅射气体流入腔室，并使用压力控制系统调节总压力-通常在毫托范围内。用真空磁控溅射镀膜设备可在车窗玻璃镀涂二氧化钛，这个镀层可以赋予车窗自清洁效果。

用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴极），等离子体和被溅零件/真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体（如陶瓷），则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容，这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入氩气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。磁控溅射成为镀膜工业主要方法之一。云南平衡磁控溅射平台

这提高了薄膜工艺的效率，使它们能够在较低的压力下更快地生长。安徽单靶磁控溅射分类

脉冲磁控溅射的工作原理：脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲溅射可以有效地抑制电弧产生进而消除由此产生的薄膜缺陷，同时可以提高溅射沉积速率，降低沉积温度等一系列明显的优点，是溅射绝缘材料沉积的优先选择工艺过程。在一个周期内存在正电压和负电压两个阶段，在负电压段，电源工作于靶材的溅射，正电压段，引入电子中和靶面累积的正电荷，并使表面清洁，裸露出金属表面。加在靶材上的脉冲电压与一般磁控溅射相同!为400~500V,电源频率在10~350KHz，在保证稳定放电的前提下，应尽可能取较低的频率#由于等离子体中的电子相对离子具有更高的能动性，因此正电压值只需要是负电压的10%~20%，就可以有效中和靶表面累积的正电荷。占空比的选择在保证溅射时靶表面累积的电荷能在正电压阶段被完全中和的前提下，尽可能提高占空，以实现电源的较大效率。安徽单靶磁控溅射分类

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