湖南稳流模块组件

时间:2022年12月15日 来源:

    强型120A增强型150A增强型200A增强型300A增强型400A型号LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技术参数输入参数输入电压范围D3:3-36Vdc,D2:18-30Vdc,A3:90-430Vac,D1:4-8Vdc输入电流5mA-15mA反接保护有LED指示有输出参数额定工作电压4:48~480Vac,3:36-430Vac,2:24-265Vac,1:12-135Vac输出通态压降<2Vac断态峰值截止电压Vp4:≥1100Vpk,3:≥900Vpk,2:≥600Vpk,1:≥400Vpk浪涌电流(电网一周)800%**小负载电流100mA输出漏电流16A及以下<2mA,16A以上<12mA静态电压上升率dVs/dt100V/μs(普通型)、200V/μs(增强型)换向电压上升率dVc/dt10V/μs(普通型)、200V/μs(增强型)开启比较大响应时间10ms关断比较大延时10ms其它参数介质耐压(输入、输出及外壳间)≥2000Vac绝缘电阻(输入、输出及外壳间)>1000MΩ。正高电气的行业影响力逐年提升。湖南稳流模块组件

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    下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本发明的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本发明的保护范围之内。如图1所示,本发明的立式晶闸管模块包括:外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中,任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接,并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述晶闸管单元包括:压块7、门极压接式组件8、导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中,所述压块7设置于所述门极压接式组件8上,并通过所述门极压接式组件8对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力,所述导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述导电片9、第二导电片10、瓷板11与铜底板3的固定连接。日照双向晶闸管模块生产厂家“质量优先,用户至上,以质量求发展,与用户共创双赢”是正高电气新的经营观。

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    大中小电力半导体可控硅普通晶闸管模块MTC25A2015-06-21共同成长8...展开全文一、产品特点:1、芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压;2、国际标准封装;3、真空+充氢保护焊接技术;4、压接结构,优良的温度特性和功率循环能力;5、输入-输出端之间隔离耐压≥2500VAC;6、200A以下模块皆为强迫风冷,300A以上模块,既可选用风冷,也可选用水冷;7、安装简单,使用维修方便,体积小,重量轻。二、型号说明:三、技术参数:型号通态平均电流反向断态重复峰值电压通态峰值电压通态峰值电流正反向重复峰值电流触发电流触发电压维持电流断态电压临界上升率通态电流临界上升率比较高额定结温绝缘电压重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及电路联结形式:五、产品应用:1、交直流电机控制;2、各种整流电源;3、工业加热控制;4、调光;5、无触点开关;6、电机软起动;7、静止无功补尝;8、电焊机;9、变频器;10、UPS电源;11、电池充放电。说明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均为25下的调试值,表中其它参数皆jm下的测试值;,在50HZ频率下,I2t(10ms)=(A2S)。

    当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高,在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。。2)直流侧产生的过电压如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大,都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起电流突变等场合。。公司生产工艺得到了长足的发展,优良的品质使我们的产品****各地。

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    所述铜底板3上涂覆有硅凝胶,所述硅凝胶对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11进行包覆固定。从而,所述铜底板3通过所述硅凝胶实现对位于其上的导电片9、第二导电片10、瓷板11进行固定。所述第二晶闸管单元包括:第二压块12、第二门极压接式组件13、第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17。其中,所述第二压块12设置于所述第二门极压接式组件13上,并通过所述第二门极压接式组件13对所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17施加压合作用力,所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17与铜底板3的固定连接,所述铜底板3上涂覆有硅凝胶,所述硅凝胶对所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17进行包覆固定。从而,所述铜底板3通过所述硅凝胶实现对位于其上的第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17进行固定。进一步地,所述接头4包括:螺栓和螺母,所述螺栓和螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。相应地,所述第二接头5包括:第二螺栓和第二螺母,所述第二螺栓和第二螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。所述第三接头6包括:第三螺栓和第三螺母。正高电气以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。日照双向晶闸管模块生产厂家

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    1、过流保护如果想得到较安全的过流保护,建议用户优先使用内部带过流保护作用的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是**简单常用的方法,介绍如下:(1)快速熔断器的选择:①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压;②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的,按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。(2)接线方法:快速熔断器接在模块的输入端,负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差,当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时,即使时间很短,也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压,会引起晶闸管硬开通,它不仅使电路工作失常,且多次硬开通后元件正向转折电压要降低,甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护,推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。(1)阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时,和开关电路一样,因线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量会产生过电压。湖南稳流模块组件

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