宿迁片式电容

钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF，大多数情况下，如果满足耐压，我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形式是断裂，这是由片式陶瓷电容器本身介质的脆性决定的。由于片式陶瓷电容焊接直接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而铅制陶瓷电容可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于片式陶瓷电容器，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲，无极性电容体积小，价格低，高频特性好，但它不适合做大容量。宿迁片式电容

钽电容器：优点：体积小，电容大，形状多样，寿命长，可靠性高，工作温度范围宽。缺点：容量小，价格高，耐电压电流能力弱。应用：通信，航空航天，工业控制，影视设备，通信仪表1.它也是一种电解电容器。钽被用作介质，不像普通的电解电容使用电解质。钽电容不需要像普通电解电容那样用镀铝膜的电容纸绕制，几乎没有电感，但这也限制了它的容量。3354我们在大容量，但是需要低ESL，所以选择钽电容器。2.由于钽电容器中没有电解液，所以非常适合在高温下工作。3354需要一些温度范围比较宽的场景。3.钽电容器的工作介质是在金属钽表面形成的一层非常薄的五氧化二钽薄膜。这层氧化膜。电介质与电容器的一端集成在一起，不能单独存在。所以单位体积的工作电场强度非常高，电容特别大，也就是比容量非常高，所以特别适合小型化。3354集成度比较高的场景，铝电解电容占用面积比较大，陶瓷电容容量不足。宿迁片式电容电容容量越大、信号频率越大，电容呈现的交流阻抗越小。

电容承受温度与寿命 ，在开关电源设计过程中，不可避免地要挑选适用的电容。就100μF以上的中、大容量产品来说，因为铝电解电容的价格便宜，所以，迄今使用的较为普遍。但是,较近几年却发生了明显变化，避免使用铝电解电容的情况正在增加。出现这种变化的一个原因是，铝电解电容的寿命往往会成为整个设备的薄弱环节。电源模块制造厂家的工程师表示：“对于铝电解电容这种寿命有限的元件，如果可以不用,就尽量不要采用。”因为铝电解电容内部的电解液会蒸发或产生化学变化，导致静电容量减少或等效串联电阻(ESR)增大,随着时间的推移，电容性能肯定会劣化。

根据经验，在电路的总电源原理图中，设计原理图时把这些电容画在一起，因为是同一个网络，而在设计实际PCB时，这些电容分别放在各自的ic上。电容越大，信号频率越高，电容的交流阻抗越小。电源(或信号)或多或少会叠加一些交流高频和低频信号，对系统不利。IC电源的引脚与地之间并联放置电容，一般是为了滤除对系统不利的交流信号。10uf和0.1uf的电容配合使用，使电源(或信号)对地的交流阻抗在很宽的频率范围内很小，这样可以更干净地滤除交流分量。铝电解电容器由于在负荷工作过程中电解液不断修补并增厚阳极氧化膜（称为补形效应），会导致电容量的下降。

陶瓷电容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍，从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右，人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性，随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展，它迅速发展起来，成为电子设备中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能，主要应用于滤波、能量贮存与转换以及作时间常数元件等。宿迁片式电容

大容量低耐压钽电容的替代产品：高分子聚合物固体铝电解电容器。宿迁片式电容

共烧技术(陶瓷粉料和金属电极共烧)，MLCC元件结构很简单，由陶瓷介质、内电极金属层和外电极三层金属层构成。MLCC是由多层陶瓷介质印刷内电极浆料，叠合共烧而成。为此，不可避免地要解决不同收缩率的陶瓷介质和内电极金属如何在高温烧成后不会分层、开裂，即陶瓷粉料和金属电极共烧问题。共烧技术就是解决这一难题的关键技术，掌握好的共烧技术可以生产出更薄介质(2μm以下)、更高层数(1000层以上)的MLCC。当前日本公司在MLCC烧结设备技术方面早于其它各国，不仅有各式氮气氛窑炉(钟罩炉和隧道炉)，而且在设备自动化、精度方面有明显的优势。宿迁片式电容

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