湖南交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片定制

时间:2023年02月10日 来源:

芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式,从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下,如果输出端由于意外被连接到外部电源上,芯片可能工作在反向升压模式,产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路,当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时,立即关闭低侧MOSFET,然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上,从而保护低侧MOSFET。另外,NOC 限流在**小关断时间内不生效。同时产品内置高耐压 MOSFET 可提高系统浪涌耐受能力。湖南交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片定制

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220V交流降压3.3V100mA电流,给蓝牙提供稳定的电压及各种保护功能,KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35062内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。吉林AC高压220V降24V非隔离BUCK电源芯片原厂COT 控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。

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WIFI供电**芯片,精度高,动态优,功耗低,**精简。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于3.3V供电的应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时IC内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35026内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。芯片采用了多模式PWM控制技术和动态响应优化电路,有效提升了动态响应能力,优化了线性调整率和负载调整率,同时明显降低了系统工作中的可闻噪音。

220V转5V电源芯片高压BUCK电路,给MCU提供稳定的5V电压。高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关,适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺,在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部,芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能,在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时,芯片设计有轻重载模式,可轻松获得低于50mW的待机功耗。这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。

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输出电压可调,高压交流220V非隔离BUCK电路芯片,非常适用于智能照明,智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路。湖南交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片定制

精确的使能控制和可调欠压锁定功能。湖南交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片定制

18V低功耗DCDC降压芯片,主要特点•宽输入电压范围:4.5Vto17V•输出电压范围:0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流:190μA(无开关动作,典型值)•低关断电流:2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式:•KP522201A:脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A:强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度:0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能:•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间,避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸:•支持使用MLCC陶瓷电容,且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型:SOT23-6湖南交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片定制

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