TLP222G-2型号光耦国产品牌替代

BMS，英文全称是BatteryManagementSystem，指的就是电池管理系统。BMS可以说是新能源汽车的“电池管家”，它能够实时监管电池状态、管理车载动力电池、增强电池使用效率、防止电池出现过充过放以及提高电池的使用寿命。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x、QX8801；2.光继电器：QXV158、QX258、QX2xx、QX17x；3.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；4.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx;5.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；6.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840.光耦合器（opticalcoupler equipment，英文缩写为OCEP）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。TLP222G-2型号光耦国产品牌替代

1.汽车电驱部分常应用到智能栅极驱动光耦QX33xJ，智能栅极驱动光耦为**型光耦，在强弱电隔离、通信、过程控制等传统领域都会用到，如汽车电子领域就有应用智能栅极驱动光耦的需求。QX33xJ峰值电流更高、抗扰能力更强，具有可编程故障检测、欠压锁定的特点。2.汽车电控系统由传感器、控制器和执行器组成。传感器主要是收集控制器所需要的各部分的信号，为控制器指挥执行器提供数据支持。电控系统运用到的光耦类型较***，如晶体管光耦(QX8801)、高速光耦(QX6N137,QX074L,QX0631)、(智能)栅极驱动光耦(QX343,QX33xJ)、IPM接口光耦(QX480)、光隔运放(QXC87,QXC790)。湖北小体积光耦群芯微代理型号如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111TLP521等常用的六脚线性光耦有：LP632TLP532PC614PC714PS2031等。常用的4N254N264N354N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

光电耦合器系列产品种类齐全主要分类：一．晶体管光耦：低速信号传输，电平转换；二．光继电器：交直流开关信号切换控制；三．高速光耦：高速信号传输、数据交换；四．高压可控硅光耦：交流电源控制，发热器件及交流电机控制；五．栅极驱动光耦：大功率器件及功率模块驱动；六．智能栅极驱动光耦：大功率器件及功率模块驱动，内置过载保护功能；七．IPM接口光耦：智能功率模块信号隔离传输；八．光隔离运算放大器：信号隔离采样和放大。这种接口电路一般具有带负载能力强、输出电流大、工作电压高的特点。

输出端为光敏晶体管直接输出的光电耦合器称为晶体管光耦。晶体管光耦输出端一般常用的晶体管有：光电二极管、光敏三极管、光敏型达林顿管。光电二极管线性特性好；光敏三极管有线性特性，在一定范围内具有电流放大能力；光敏型达林顿管具有更高的放大倍数，可以在小电流输入状态下，驱动更大的输出电流。晶体管光耦通常在电源电路中做电压反馈，在控制电路中做信号检测、信号控制等功能。交直流并用的半导体继电器，是一种发光器件和受光器件一体化的器件，是光电耦合器的一种，由一个MOSFET耦合的LED组成。光继电器具有体积小、无机械触点、长寿命、低动作电流、高隔离电压、高速切换、低泄漏电流、支持热开关的优点。光继电器可广泛应用于测试系统、量测仪器仪表、通信设备、保全设备、医疗设备等。光电耦合器已显示出一种超大容量和高速度方向发展的明显趋势。江西高电压可控硅光耦群芯微代理加工

而如果选用光电耦合器来代替音频变压器就可以克服上述这些缺点。TLP222G-2型号光耦国产品牌替代

光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：1.集电极电流Ic（CollectorCurrent）光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。2.集电极-发射极电压Vceo（C-EVoltage）集电极-发射极所能承受的电压。3.发射极-集电极电压Veco（E-CVoltage）发射极-集电极所能承受的电压4.反向截止电流Iceo5.C-E饱和电压Vce(sat)（C-ESaturationVoltage）四、传输特性：1．电流传输比CTR（CurrentTransferRadio）2．上升时间Tr（RiseTime）&下降时间Tf（FallTime）其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。三、隔离特性1．入出间隔离电压Vio（IsolationVoltage）光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。2．入出间隔离电容Cio（IsolationCapacitance）：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值3．入出间隔离电阻Rio：（IsolationResistance） TLP222G-2型号光耦国产品牌替代

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