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C-MOS场效应管(增强型MOS场效应管)电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。 ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。上海st场效应管推荐厂家
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。 南京固电场效应管推荐厂家场效应管有三种类型:增强型、耗尽型和开关型。
场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态,如下图是场效应管共源放大电路,其中:Rg是栅极电阻,将Rs压降加至栅极;Rd是漏极电阻,将漏极电流转换成漏极电压,并影响放大倍数Au;Rs是源极电阻,为栅极提供偏压;C3是旁路电容,消除Rs对交流信号的衰减。由于场效应管是电压型控制器件,它的栅极几乎不取电流,输入阻抗非常高,其实要想获得较大恒流输出,并且精度提高可以采取基准源与比较器结合方法来获得所需要的效果。
与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强;(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。 场效应管的优势包括低噪声、高输入阻抗、低功耗、高频率响应等。
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场效应管的性能受温度影响较大。上海st场效应管推荐厂家
场效应管的检测方法:(1)判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。(2)判定源极S、漏极D在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。(3)测量漏-源通态电阻RDS(on)将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。 上海st场效应管推荐厂家
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