精密基准基准源芯片供应商

时间:2023年09月05日 来源:

长期稳定性该规格测量了基准电压随时间变化的趋势,与其他变量无关。初始偏移主要是由机械应力的变化引起的,这通常来自于导线框架、裸片和模塑化合物的膨胀率。这种应力效应往往有很大的初始偏移,然后随着时间的推移,偏移会迅速减少。初始漂移还包括电路元件电气特性的变化,包括设备特性在原子水平上的建立。更长期的偏移是由电路元件的电气变化引起的,通常称为老化。与初始漂移相比,这种漂移倾向于以较低的速度发生,并且随着时间的推移而进一步降低。因此,它通常使用漂移/√khr来表示。在较高的温度下,基准电压源的老化速度往往更快基准源芯片的发展前景怎么样呢?精密基准基准源芯片供应商

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基准电压源具有多种形式和不同的特性,但归根结底,精度和稳定性是基准电压源**重要的特性,因为它的主要功能是提供已知的输出电压。与已知值相比,变化是一个误差。基准电压源规格通常用于预测其在某些条件下的不确定性。对于在指定温度范围内具有良好线性度的基准电压源,或对于未仔细调整的基准电压源,可以认为**差误差与温度范围成比例。这是因为比较大和**小输出电压极可能在比较大和**小工作温度下获得。然而,对于经过仔细调整的基准电压源 (通常通过其非常低的温度漂移来确定),其非线性特性可能占主导地位。河北REF50基准源芯片平均价格基准电压源具有多种形式和不同的特性。

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4.温度补偿性齐纳二极管体积小、重量轻、结构简单便于集成;但存在噪声大、负荷能力弱、稳定性差以及基准电压较高、可调性较差等缺点。这种基准电压源不适用于便携式和电池供电的场合。5.带隙基准源(采用CMOS,TTL等技术实现)运用半导体集成电路技术制成的基准电压源种类较多,如深埋层稳压管集成基准源、双极型晶体管集成带隙基准源、CMOS集成带隙基准源等。“带隙基准源”是七十年代初出现的一种新型器件,它的问世使基准器件的指标得到了新的飞跃。由于带隙基准源具有高精度、低噪声、优点,因而广泛应用于电压调整器、数据转换器(A/D,D/A)、集成传感器、大器等,以及单独作为精密的电压基准件,低温漂等许多微功耗运算放。

这很容易从图2所示的输出电压与温度特性之间的关系中看出。请注意,它表示了两个可能的温度特性。未补偿的带间隙基准电压源为抛物线,最小值在温度极值处,比较大值在中间。带间隙基准电压源(如LT1019)表现为“S形曲线的比较大斜率接近温度范围的中心。在后一种情况下,非线性增加,从而降低了温度范围内的整体不确定性。温度漂移规格的比较好用途是计算指定温度范围内的比较大总误差。一般不建议计算未指定温度范围内的误差,除非对温度漂移特性有很好的了解。所有模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)都需要具备基准电压(通常是一个电压)。

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**简单的串联基准电压源具有射极跟随器输出级,并且只能提供源电流,但很多基准电压源应用要求基准电压源同时也能吸取电流。当应用要求电流双向流动时,必须检查这一点。用来生成精密基准电压的机制有时候可能充满噪声,因此检验基准电压源噪声对于应用而言是否足够低是很重要的。中频段噪声(高于100Hz)的频谱密度可能为几十mV/√Hz或更高,但通常可使用电容滤除,前提是基准电压源采用容性负载时能够稳定工作。注意,就算基准电压源工作稳定,容性负载也有可能会增加开启时间。低频噪声比较麻烦,通常位于低频段内,即0.1Hz至10Hz。低频噪声只要不超过5μV峰峰值就行了,1μV至2μV峰峰值就更理想了。适用于通用模拟IC的其他考虑因素也同样适用于基准电压源。基准电压源规格通常使用以下定义来预测其在某些条件下的不确定性。精密基准基准源芯片供应商

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基准电压源只是一个电路或电路元件,只要提供已知的电位。这可能是几分钟、几个小时或几年。如果产品需要收集电池电压或电流、功耗、信号大小或特性、故障识别等现实世界的相关信息,则必须将相关信号与标准进行比较。每个比较器,ADC、DAC 或检测电路必须有一个基准电压源才能完成上述工作 (图 1)。将目标信号与已知值进行比较,准确量化任何信号。基准电压源具有多种形式和不同的特性,但归根结底,精度和稳定性是基准电压源**重要的特性,因为它的主要功能是提供已知的输出电压。与已知值相比,变化是一个误差。基准电压源规格通常使用以下定义来预测其在某些条件下的不确定性。精密基准基准源芯片供应商

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