南京大规模温度传感器企业

时间:2023年10月21日 来源:

    一种温度传感器制备方法,包括:在硅片形成若干沟槽;热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方连接起来,将所述空腔封闭;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器制备方法,先通过刻蚀在硅片上形成若干沟槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。再在高温环境下进行退火,由于高温环境下硅原子会发生迁移,硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变,之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀积测温材料形成测温单元,测温单元用于感测环境温度,从而得到温度传感器。通过本方案得到的温度传感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅。好的温度传感器供应,深圳美信美科技就是牛。南京大规模温度传感器企业

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    再在高温环境下进行退火,由于高温环境下硅原子会发生迁移,硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变,之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀积测温材料形成测温单元,测温单元用于感测环境温度,从而得到温度传感器。通过本方案得到的温度传感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅,即氧化硅薄膜和硅通过空腔隔开,基底下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。在其中一个实施例中,所述沟槽的宽度范围为μm~1μm,所述沟槽的深度范围为1μm~10μm,所述相邻沟槽之间的间隔范围为μm~1μm。在其中一个实施例中,所述热退火具体为在氢气环境中热退火,所述热退火的温度为1000℃。在其中一个实施例中,在得到所述氧化硅薄膜后还包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜。在其中一个实施例中,在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层金属层,所述金属层为金属铂层,所述金属铂层呈连续弓字形结构。天津NTC温度传感器哪个耐用深圳美信美温度传感器质量好。

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    在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层,所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;在所述多晶硅上淀积第三金属层,所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述制备方法还包括:在所述金属层上形成钝化层,并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。还公开了一种温度传感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器,由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。由于基底隔热效果较好。

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