广州集成电路IC

    调节访问装置包括调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括垂直布置在底电极通孔和顶电极通孔之间的mtj。在一些实施例中，顶电极通孔可以通过通孔(例如，铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中，底电极通孔和顶电极通孔可以包括金属，诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中，互连层b从调节mtj器件正上方连续延伸至调节mtj器件正上方。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括由介电遂穿阻挡层分隔开的自由层和固定层。自由层具有被配置为响应于电信号(例如，电流)而改变的磁矩。固定层具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、附加自由层等)以改进mtj的性能。图b示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些可选实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。2021年10月，我国集成电路产量达2975.4亿块，同比增长48.1%。广州集成电路IC

    可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“且，为便于描述，在此可以使用诸如个实施例和和布置的具体实例等空间相对术语，以描述所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地做出相应的解释。磁阻式随机存取存储器(mram)单元包括垂直布置在导电电极之间的磁隧道结(mtj)。mtj包括通过隧穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。固定层的磁取向是静态的(即，固定的)，而自由层的磁取向能够在相对于固定层的磁取向的平行配置和反平行配置之间切换。平行配置提供低电阻状态，低电阻状态数字化地将数据存储为位值(例如，逻辑“”)。反平行配置提供高电阻状态，高电阻状态数字化地将数据存储为位值(例如，逻辑“”)。随着集成芯片的功能增多。对更多的存储器的需求也增加，从而使得集成芯片设计者和制造商必须增加可用存储器的量，同时减小集成芯片的尺寸和功耗。成都通用集成电路哪家好集成电路产品是信息产业的基础，直接关乎社会的稳定与国家的安全。

    该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路包括存储器阵列，存储器阵列具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,(例如，mram单元)。多个存储单元a。至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和通过调节提供给工作mtj器件的电流而选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。在一些实施例中，调节访问装置包括连接至工作mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。例如，调节mtj器件和调节mtj器件可以都连接至工作mtj器件的固定层。在一些实施例中，调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wlx之间(x＝,,)。并且调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wly(y＝,,)之间。例如，在存储单元a,中，调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间，而调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(alo)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在操作期间。

    可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件、和。在其它实施例中，可以在不同时间形成多个mtj器件、和。的截面图所示，在多个mtj器件、和上方形成多个顶电极通孔。多个顶电极通孔由ild层围绕。在一些实施例中。可以在多个mtj器件、和上方沉积ild层，并且然后选择性地图案化ild层以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔。在各个实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件、和上方的第三ild层内形成互连层b。在一些实施例中，互连层b包括限定存储单元a,的位线bl和一条或多条字线wl至wl的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层以在第三ild层内形成开口来形成互连层b。然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如。存储器和特定应用集成电路是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非常重要。

    介电结构围绕存储单元a,。存储单元a,包括工作mtj器件和具有调节mtj器件和调节mtj器件的调节访问装置。介电结构还围绕多个导电互连层a至f。多个导电互连层a至f包括互连层a，互连层a在存储单元a,的工作mtj器件、调节mtj器件和调节mtj器件正下方延伸为连续结构。互连层a通过互连层b和多个通孔a连接至存储单元a,的工作mtj器件、调节mtj器件和调节mtj器件。第三互连层c具有离散的互连结构。离散的互连结构限定连接至图的存储器阵列的列内的相应存储单元的两条字线wl至wl以及连接至图的存储器阵列的行内的相应存储单元的位线bl。在一些实施例中，存储单元a,的工作mtj器件、调节mtj器件和调节mtj器件可以通过多个通孔b连接至第三互连层c。在一些实施例中，一个或多个附加存储单元可以布置在存储单元a,上方。在这样的实施例中，第四互连层d在存储单元b,的工作mtj器件、调节mtj器件和调节mtj器件正下方延伸为连续结构。第四互连层d通过第五互连层e和第三多个通孔c连接至存储单元b,的工作mtj器件、调节mtj器件和调节mtj器件。第六互连层f限定连接至图的存储器阵列的列内的相应存储单元的两条字线wl至wl以及连接至图的存储器阵列的行内的相应存储单元的位线bl。在一些实施例中。集成电路行业主要上市公司：韦尔股份(603501)、中芯国际(688981)、长电科技(600584)等。江苏通讯集成电路厂家

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    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务，诚信合作的原则，以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系，为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流；以及在所述多个mtj器件上方形成互连层，其中，所述互连层和所述互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可佳理解的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(mtj)器件提供访问。广州集成电路IC