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密要均匀不能有上松下紧，或下紧上松的现象。否则会导致松的地方耐压降低。钽坯高度要在允许差范围内，详细见工艺文件。g）成型注意事项：（1）粉重（2）压密（3）高度（4）钽丝埋入深度（5）换粉时一定要将原来的粉彻底从机器内清理干净。（6）不能徒手接触钽粉、钽坯，谨防钽粉、钽坯受到污染。杜绝在可能有钽粉的部位加油。（7）成型后的钽坯要放在干燥器皿内密封保存，并要尽快烧结，一般不超过24小时。（8）每个坩埚要有伴同小卡，写明操作者、日期、规格、粉重等情况，此卡跟随工单一起流转，要在赋能后把数据记在工单上才能扔掉，以防在烧结、赋能、被膜出了质量问题可以倒追溯。钽电容的使用寿命长，具有良好的耐久性，适用于需要长期稳定运行的电子设备。CAK81-16V-390uF-K-T2

事实上为了避免快充对智能手机、平板电脑和笔记本电脑的主控电路寿命产生影响，高性能的钽电容是保证快充输出波形稳定的重要必要器件之一。与苹果和三星为了避免钽电容成本上升与产品缺货导致的充电头配件倾蚀利润不同，中国国产品牌不但不能放弃充电头业务，反而要以小型化高功率快充为改善用户体验为切入点，迅速提升自己品牌竞争力，阻止自己的市场份额下滑。甚至在极端的条件下，即便是智能手机本体不赚钱，也要让充电头等手机配件赚钱来养活自己的智能手机业务，所以现阶段小型化快充充电头对于中国国产品牌意义更加深远。目前全球市场的智能手机保有量快接近40亿部，平板电脑产品保有量接近10亿部，小型高功率快充市场的需求打开后，这一项就让传统的钽电容生产商在产能部署上措手不及。CAK45F-C-20V-10uF-K不同品牌的钽电容在性能、可靠性和价格等方面存在差异，需要根据实际需求进行选择。

生产工艺按照电解液的形态，钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分，液体钽电解用量已经很少，本文*介绍固体钽电解的生产工艺。固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽；阳极是烧结形成的金属钽块，由钽丝引出，传统的负极是固态MnO2，目前***的是采用聚合物作为负极材料，性能优于MnO2。钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式，其制造工艺大致相同，现在以片钽生产工艺为例介绍如下。生产工艺流程图成型→烧结→试容检验→组架→赋能→涂四氟→被膜→石墨银浆→上片点胶固化→点焊→模压固化→切筋→喷砂→电镀→打标志→切边→漏电预测→老化→测试→检验→编带→入库

钽电容的容量通常以微法拉为单位进行表示。不同规格的钽电容具有不同的容量范围，可以根据实际需求进行选择。与传统的电解电容相比，钽电容具有更好的性能表现。传统的电解电容由于材料的不稳定性，容易出现漏液等问题，而钽电容的稳定性和耐压能力都非常出色。 钽电容的内部结构通常分为两种：一种是卷绕型，另一种是平板型。卷绕型钽电容的结构类似于传统的电解电容，而平板型钽电容则是将两片薄钽片卷绕在一起形成电容器。除了常规的钽电容，还有一些特殊类型的钽电容，如低ESR型、高频型、低漏电流型等。这些特殊类型的钽电容针对不同的应用场景进行了优化，具有更好的性能表现。钽电容的自恢复能力和动作阈值等参数可以在制造商提供的技术手册中找到，并进行验证和测试。

形成液：电导率高，氧化效果好，但是形成液的闪火电压低；电导率低，氧化效果差，但是形成液的闪火电压高，阳极块不容易晶化、击穿。目前的磷酸稀水溶液只能适合形成电压200V以下，如果要形成200V以上的产品，应改用乙二醇稀水溶液，该溶液闪火电压高，抑制晶化能力强，但是乙二醇不容易煮洗干净，被膜损耗要微增加。一般情况下，CA42形成电压不会超过200V，只要用磷酸稀水溶液就可以了。h）恒压时间：钽块越小，恒压时间越短，钽块越大，恒压时间越长，详见工艺文件。原则：结束电流要很小，基本上稳定不再下降为止，具体数值要看平时积累数据。钽电容在高温和低温环境下都能保持稳定的工作性能。THCL-63V-800uF-K-C2T

钽电容的体积小，单位体积电容量大，适合用于空间限制较高的电路中。CAK81-16V-390uF-K-T2

耗散因子(DF值)耗散因子是决定电容内部功率耗散的一个物理量，越小越好，一般DF值随频率增加而增加。损耗大小对产品使用影响及可靠性影响说明：损耗（DF值）是表征钽电容器本身电阻能够造成的无效功耗比例的一个参数，损耗较小的产品ESR也将较小。但损耗大小的微小差别不会对使用造成明显影响，对工作状态的产品的可靠性影响与容量偏差的影响相比较大，但与产品漏电流大小和ESR大小对使用时的可靠性的影响相比仍然较小（漏电流大小和ESR大小影响>损耗大小影响>容量偏差的影响），滤波时如果产品的损耗较大，滤波效果差一些。同时，损耗较大的产品的抗浪涌能力也较差。3.4阻抗，等效串联阻抗(ESR)&感抗ESR是决定电容滤波性能的一个重要指标，钽电容的ESR主要是由引脚和内部电极阻抗引起，是电容在高频上表现的一个很重要的参数，一般来讲，同容量，同电压值的钽电容的ESR要低于电解电容，但要高于多层陶瓷电容，ESR随着频率和温度的增加而减少，ESR=DF/WC。在谐振频率以下，电容的阻抗是电容的容抗和ESR的矢量和，在电容产生谐振以后，电容的阻抗是电容的感抗和ESR矢量和。CAK81-16V-390uF-K-T2