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IGBT模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？答：当PWM波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。但变频器实际是要驱动电机的，接在电机的定子上面，定子是一组线圈绕成的，就是“电感”。电感有一个特点：它的内部的电流不能进行突变。所以当采用PWM波输出电压波形时，加在电机上的电压就是“断断续续”的，这样电机内的电流就会“断断续续”的，这就给电机带来严重的后果：由于电感断流时，会产生反电动势，这个电动势加在IGBT上面，对IGBT会有损害。解决的办法：在IGBT的CE极上并联“续流二极管”。有了这个续流二极管，电机的电流就是连续的。具体怎么工作的呢？如下图，负载上换成了一个电感L。当1/4开通时，电感上会有电流流过。然后PWM波控制1/4关断，这样上图中标箭头的这个电路中就没有电流流过。由于电感L接在电路中，电感的特性，电流不能突然中断，所以电感中此时还有电流流过，同时因为电路上电流中断了，导致它会产生一个反电动势，这个反电动势将通过3的续流二极管加到正极上，由于正极前面有滤波电容。大家选择的时候，尽量选择新一代的IGBT，芯片技术有所改进，IGBT的内核温度将有很大的提升。陕西FUJI富士IGBT模块优势现货库存

igbt模块结温变化会影响哪些因素?结温是指IGBT模块内部结构的温度，它的变化会影响IGBT模块的电性能、可靠性和寿命等多个方面。本文将从以下几个方面详细介绍IGBT模块结温变化对模块性能的影响。1.IGBT的导通损耗和开关损耗当IGBT模块结温升高时，其内部电阻变小，导通损耗会减小，而开关损耗则会增加。当结温升高到一定程度时，开关损耗的增加会超过导通损耗的减小，导致总损耗增加。因此，IGBT模块的结温升高会导致模块的损耗增加，降低模块的效率。2.热应力和机械应力IGBT模块的结温升高会导致模块内部产生热应力和机械应力。热应力是由于热膨胀引起的，会导致模块内部元器件的变形和应力集中，从而降低模块的可靠性和寿命。机械应力则是由于模块内部结构的膨胀和收缩引起的，会导致模块的包装材料产生应力，从而降低模块的可靠性和寿命。3.温度对IGBT的寿命的影响IGBT模块的结温升高会导致模块内部元器件的老化速度加快，从而降低模块的寿命。IGBT的寿命是与结温密切相关的，当结温升高到一定程度时，IGBT的寿命会急剧降低。陕西FUJI富士IGBT模块优势现货库存IGBT命名方式中，能体现IGBT芯片的年代。

怎样检测变频器逆变模块？1）判断晶闸管极性及好坏的方法选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量晶闸管的任两个极之间的正反向电阻，其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大，则判定该极为阳极（A）。然后选择指针万用表的R×1Ω档。黑表笔接晶闸管的阳极（A），红表笔接晶闸管的其中一极假设为阴极（K），另一极为控制极（G）。黑表笔不要离开阳极（A）同时触击控制极（G），若万用表指针偏转并站住，则判定晶闸管的假设极性阴极（K）和控制极（G）是正确的，且该晶闸管元件为好的晶闸管。若万用表指针不偏转，颠倒晶闸管的假设极性再测量。若万用表指针偏转并站住，则晶闸管的第二次假设极性为正确的，该晶闸管为好的晶闸管。否则为坏的晶闸管。

TC=℃）------通态平均电流VTM=V-----------通态峰值电压VDRM=V-------------断态正向重复峰值电压IDRM=mA-------------断态重复峰值电流VRRM=V-------------反向重复峰值电压IRRM=mA------------反向重复峰值电流IGT=mA------------门极触发电流VGT=V------------门极触发电压执行标准：QB-02-091．晶闸管关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护晶闸管从导通到阻断，线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压（换相过电压）。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2．交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压。模块可以用于率封装，比如450A，600A，800A等。

3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1e1、c2e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为比较大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为比较大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，万用表两次所测的数值都为比较大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。Econo封装(俗称“平板型”):分为EconoDUAL，EconoPIM，EconoPACK之类的。陕西FUJI富士IGBT模块优势现货库存

第五代IGBT命名后缀为5。陕西FUJI富士IGBT模块优势现货库存

进行逆变器设计时，IGBT模块的开关损耗评估是很重要的一个环节。而常见的损耗评估方法都是采用数据手册中IGBT或者Diode的开关损耗的典型值，这种方法缺乏一定的准确性。本文介绍了一种采用逆变器系统的驱动板和母排对IGBT模块进行损耗测试和评估的方法，通过简单的操作即可得到更精确的损耗评估。一般数据手册中，都会给出特定条件下，IGBT及Diode开关损耗的典型值。一般来讲这个值在实际设计中并不能直接拿来用。在英飞凌模块数据手册中，我们可以看到，开关损耗典型值前面，有相当多的限制条件，这些条件描述了典型值测试平台。而实际设计的系统是不可能和规格书测试平台一模一样的。两者之间的差异，主要体现在如下几个方面：IGBT的开关损耗不依赖于驱动电阻，也依赖于驱动环路的电感，而实际用户系统的驱动环路电感常常不同于数据手册的测试平台的驱动环路电感。驱动中加入栅极和发射极电容是很常见的改善EMC特性的设计方法，而使用该栅极电容会影响IGBT的开关过程中电流变化率dIc/dt和电压变化率dVce/dt，从而影响IGBT的开关损耗实际系统的驱动电压也常常不同于数据手册中的测试驱动电压，在IGBT模块的数据手册中，开关损耗通常在±15V的栅极电压下测量。陕西FUJI富士IGBT模块优势现货库存