成都小规模温度传感器企业

时间:2023年11月05日 来源:

    在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层,所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;在所述多晶硅上淀积第三金属层,所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述制备方法还包括:在所述金属层上形成钝化层,并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。还公开了一种温度传感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器,由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。由于基底隔热效果较好。温度传感器厂家就找美信美。成都小规模温度传感器企业

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    一种温度传感器制备方法,包括:在硅片形成若干沟槽;热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方连接起来,将所述空腔封闭;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器制备方法,先通过刻蚀在硅片上形成若干沟槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。再在高温环境下进行退火,由于高温环境下硅原子会发生迁移,硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变,之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀积测温材料形成测温单元,测温单元用于感测环境温度,从而得到温度传感器。通过本方案得到的温度传感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅。排气温度传感器哪个品牌好温度传感器好的供应商,认准深圳美信美。

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    可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。通常,形成测温单元还包括钝化步骤,即,步骤s:在金属层上形成钝化层,并在钝化层上对应温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电偶传感器中上层有金属结构如金属铝层,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,简化了制备过程。节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果。

    再在高温环境下进行退火,由于高温环境下硅原子会发生迁移,硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变,之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀积测温材料形成测温单元,测温单元用于感测环境温度,从而得到温度传感器。通过本方案得到的温度传感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅,即氧化硅薄膜和硅通过空腔隔开,基底下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。在其中一个实施例中,所述沟槽的宽度范围为μm~μm,所述沟槽的深度范围为μm~μm,所述相邻沟槽之间的间隔范围为μm~μm。在其中一个实施例中,所述热退火具体为在氢气环境中热退火,所述热退火的温度为℃。在其中一个实施例中,在得到所述氧化硅薄膜后还包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜。在其中一个实施例中,在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层金属层,所述金属层为金属铂层,所述金属铂层呈连续弓字形结构。好的的进口温度传感器哪家好?认准深圳市美信美科技。

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    在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层,所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;在所述多晶硅上淀积第三金属层,所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述制备方法还包括:在所述金属层上形成钝化层,并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。本发明还公开了一种温度传感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器,由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。由于基底隔热效果较好。深圳市美信美科技有限公司,你的好的温度传感器供应商。上海通讯温度传感器报价

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    本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃~℃的高温环境中,通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应,可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时,氧化反应几乎停止,因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时,需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化,具体为,进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后,空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂。成都小规模温度传感器企业

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