长沙特大规模集成电路引脚

时间:2023年11月07日 来源:

    内的调节mtj器件。然而,电流i的两倍小于切换电流isw,使得没有将数据状态写入至存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。图c示出了示出从工作mtj器件读取数据状态的读取操作的示意图的一些实施例。如示意图所示,通过将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl,对存储单元a,内的工作mtj器件实施读取操作。非零偏置电压v将使得读取电流ir通过存储单元a,内的工作mtj器件。通过工作mtj器件的读取电流ir具有取决于工作mtj器件的电阻状态的值。例如,工作mtj器件处于低电阻状态(例如,存储逻辑“”)时的读取电流ir将大于工作mtj器件处于高电阻状态(例如,存储逻辑“”)的读取电流ir。在一些实施例中,位线解码器可以包括多路复用器,多路复用器被配置为确定存储器阵列的期望输出。多路复用器被配置为将来自存储单元a,内的工作mtj器件的读取电流ir选择性地提供给感测放大器,感测放大器被配置为比较ir与由电流源产生的参考电流iref,以确定存储在存储单元a,内的工作mtj器件中的数据状态。图a示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。介电结构围绕存储单元a,和存储单元b,,存储单元b,邻近于存储单元a,横向定位。超大规模集成电路:逻辑门1,001~10k个或 晶体管10,001~100k个。长沙特大规模集成电路引脚

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    固定层a和自由层a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态,并且从而使得多个存储单元a,至b,能够分别存储数据状态,数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件的电阻的值。例如,如果工作mtj器件a,具有低电阻状态,则存储单元a,将存储位值(例如,逻辑“”),或者如果工作mtj器件a,具有高电阻状态,则存储单元a,将存储位值。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。例如,逻辑“”)。调节访问装置分别具有通过其可以控制提供给相关的工作mtj器件的电流的电阻。例如,调节访问装置a,被配置为控制提供给工作mtj器件a,的电流,调节访问装置b,被配置为控制提供给工作mtj器件b,的电流等。长春特大规模集成电路器件美信美科技是公认的好的供货商。

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    图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例,该存储器电路包括存储单元,该存储单元包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图,该存储器电路包括存储单元,该存储单元包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化。当然,这些是实例,而不旨在限制。例如,以下描述中,在部件上方或者上形成部件可以包括部件和部件直接接触形成的实施例。并且也可以包括在部件和部件之间可以形成额外的部件,从而使得部件和部件可以不直接接触的实施例。此外。

    满足短联结线路要求,满足佳导热要求。上层基板可选的可以只有一层金属层,此金属层通过联结pad与元件联结。上层基板可选的可以只有一层金属层,此金属层直接暴露在外,加强导热。上层基板可选的可以有上下两层金属层,内层金属层通过联结pad与元件联结,外层金属层直接暴露在外,加强导热。上层基板可选的可以有多层金属层,除了上下两层金属层的内层金属层通过联接pad与元件联结,外层金属层直接暴露在外,加强导热以外,上层基板内部还有一层或者多层金属层,并通过开孔沉金,以完成复杂的集成电路互联。下层基板可选的一定有一层金属层,此金属层上的联结pad就是此集成电路的联结pad,留待pcb应用。下层基板可选的可以有多层金属层,除了外层金属层用作此集成电路的联结pad外,下层基板还可以有多层金属层,并通过开孔沉金互联,以完成复杂的集成电路互联。可选的中间基板可选的具有上层基板和下层基板的所有特点,通过联结pad与元件和其他基板联结。本申请实施例中,集成电路封装结构内部联结线路短,导流能力强,导热能力强,寄生电参数小,可以满足市场上对集成电路更小型化,更高功率密度的要求。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案。从进口情况来看,集成电路行业已成为我国进口依赖程度较高的行业之一。

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    存取晶体管)的存储单元(例如,mram单元)。而且,存储单元包括调节访问装置,该调节访问装置具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中,涉及集成芯片。集成芯片包括连接至位线的工作磁隧道结(mtj)器件,工作mtj器件被配置为存储数据状态;以及连接在工作mtj器件和字线之间的调节访问装置,调节访问装置包括被配置为控制提供给工作mtj器件的电流的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中,一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、介电阻挡层和通过介电阻挡层与固定层分隔开的自由层。在一些实施例中,调节访问装置还包括连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线和字线连接至字线解码器。在一些实施例中,调节mtj器件具有比调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中,调节访问装置还包括连接在位线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线连接至字线解码器,并且位线和位线连接至位线解码器。在一些实施例中,工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中,集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。深圳美信美集成电路测试严格过关。北京射频集成电路哪家好

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    分别包括配置为存储数据的工作mtj器件和配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接至工作mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件连接在多条字线wl至wl的条和多条偏置电压线bvl至bvl的条之间。调节mtj器件连接在多条位线bl至bl的条和多条偏置电压线bvl至bvl的条之间。工作mtj器件连接在多条偏置电压线bvl至bvl的条和多条位线bl至bl的条之间。在操作期间,位线解码器被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线bl至bl,并且字线解码器被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wl至wl和一条或多条偏置电压线bvl至bvl。施加的信号使得调节mtj器件内的电流基于提供给存储器阵列的整个列的电压而产生。而将调节访问装置连接至位线bl使得调节mtj器件内的电流基于提供给存储器阵列的整个行的电压而产生。将调节访问装置连接至在不同方向上延伸的位线和字线允许改进存储器阵列的存储单元之间的隔离。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些额外实施例的截面图。图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。长沙特大规模集成电路引脚

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