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半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中,采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。因上述热电偶传感器中上层有金属结构,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还需形成有一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设有通孔。广东温度传感器哪家较好,认准深圳美信美科技有限公司。上海排气温度传感器选哪家
凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中。采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。因上述热电偶传感器中上层有金属结构,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还需形成有一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设有通孔。石家庄排气温度传感器报价好的的进口温度传感器哪家好?认准深圳市美信美科技。
基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。如图c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔。测温单元是温度传感器的工作单元,温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出,在本方案中,测温单元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,包括:金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于金属铂层外侧两端,用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示,氧化硅薄膜上淀积有一层金属层,该金属层为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,铂热电阻呈连续弓字形结构(如图所示)。金属铂层外侧两端淀积有一层第二金属层。该第二金属层可为金属铝层,用于从金属铝处引出该温度传感器的输出端子。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。
需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,简化了制备过程。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果,使温度传感器性能更加稳定。本发明还涉及一种温度传感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。温度传感器深圳哪家较好的,认准深圳美信美。
提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法,如图1所示,其步骤包括:步骤s110:在硅片上形成若干沟槽。结合图2a所示,获取一硅晶片20,从硅片20上方垂直向下开设若干并列的沟槽21形成沟槽阵列。在一实施例中,先在硅片20上形成具有阵列图案的光刻胶层,再以光刻胶作为掩膜版对硅片20进行刻蚀形成若干沟槽21。在本实施例中,刻蚀可为常规的干法刻蚀,具体为深度离子刻蚀。干法刻蚀具有更高的刻蚀精度和更好的各向异性性能,其精度可达亚微米级别,通过干法刻蚀,可以得到形态较好的沟槽,尤其是沟槽尺寸较小时利用干法刻蚀效果更佳。可通过调节掩膜板图案和控制刻蚀参数得到不同形态的沟槽,其中,沟槽21的宽度可为~1μm,沟槽21的深度可为1~10μm,相邻沟槽21之间的间隔可为~1μm。沟槽21的俯视形貌可以为圆形、方形或其他形状。温度传感器厂家就找美信美。上海排气温度传感器选哪家
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使氧化硅薄膜结构更加稳定。步骤s130:在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。在温度传感器基作完成后,需要做基底上形成测温单元,测温单元是温度传感器的工作单元,温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,其具体形成过程为:步骤s131:在氧化硅薄膜上淀积一层金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构。参考图3所示,在氧化硅薄膜23上淀积一层金属层30,该金属层30可为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,将铂热电阻做成连续弓字形结构(如图4所示)。步骤s132:在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层,用于引出所述温度传感器的输出端子。继续参见图3和图4,在金属铂层30外侧两端淀积一层第二金属层40,该第二金属层40可为金属铝层,从金属铝处引出该温度传感器的输出端子,即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器。上海排气温度传感器选哪家
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