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发展趋势：2001年到2010年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率超过25%，集成电路销售额的年均增长率则达到23%。2010年国内集成电路产量达到640亿块，销售额超过1430亿元，分别是2001年的10倍和8倍。中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。中国成为过去10年世界集成电路产业发展较快的地区之一。国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元，扩大了6.5倍。国内集成电路产业规模与市场规模之比始终未超过20%。如扣除集成电路产业中接受境外委托代工的销售额，则中国集成电路市场的实际国内自给率还不足10%，国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口。集成电路在信息处理、存储和传输方面的重要作用不可忽视。MC100E404FN

第1个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：1.小规模集成电路：SSI英文全名为Small Scale Integration，逻辑门10个以下或晶体管100个以下。2.中规模集成电路：MSI英文全名为Medium Scale Integration，逻辑门11~100个或晶体管101~1k个。3.大规模集成电路：LSI英文全名为Large Scale Integration，逻辑门101~1k个或晶体管1，001~10k个。4.超大规模集成电路：VLSI英文全名为Very large scale integration，逻辑门1，001~10k个或晶体管10，001~100k个。5.甚大规模集成电路：ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration，逻辑门10，001~1M个或晶体管100，001~10M个。GLSI英文全名为Giga Scale Integration，逻辑门1，000，001个以上或晶体管10，000，001个以上。FPF2002集成电路以其高集成度和低功耗特性，成为现代半导体工业主流技术。

氧化工艺是集成电路制造中的基础工艺之一，其作用是在硅片表面形成一层氧化膜，以保护硅片表面免受污染和损伤。氧化膜的厚度和质量对电路的性能和可靠性有着重要的影响。在氧化工艺中，硅片首先被清洗干净，然后放入氧化炉中，在高温高压的氧气环境下进行氧化反应，形成氧化膜。氧化膜的厚度可以通过调节氧化时间和温度来控制。此外，氧化工艺还可以用于形成局部氧化膜，以实现电路的局部隔离和控制。光刻工艺是集成电路制造中较关键的工艺之一，其作用是在硅片表面上形成微小的图案，以定义电路的结构和功能。

集成电路的高集成度和低功耗特性使得它在各个领域都有普遍的应用前景。在通信领域，集成电路可以用于制造高速数据传输设备，从而提高通信速度和质量。在计算机领域，集成电路可以用于制造高性能的处理器和存储器，从而提高计算机的运行速度和效率。在智能家居领域，集成电路可以用于制造各种智能家居设备，从而提高家居生活的便利性和舒适度。总之，集成电路以其高集成度和低功耗特性，成为现代半导体工业主流技术。它的高集成度可以很大程度上减小电路的体积，提高电路的可靠性和稳定性，降低电路的功耗，提高电路的效率。它的低功耗特性可以使得电子设备更加节能环保，同时也可以延长电子设备的使用寿命，降低电子设备的散热负担，提高电子设备的稳定性和可靠性。因此，集成电路在各个领域都有普遍的应用前景，将会在未来的发展中发挥越来越重要的作用。集成电路以微小尺寸的硅片为基础，通过复杂工艺实现多个元件和互连的完美整合。

IC的普及：只在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，电脑，手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算，交流，制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学者认为有集成电路带来的数字革新是人类历史中重要的事件。IC的分类：集成电路的分类方法很多，依照电路属模拟或数字，可以分为：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路（模拟和数字在一个芯片上）。数字集成电路可以包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门，触发器，多任务器和其他电路。这些电路的小尺寸使得与板级集成相比，有更高速度，更低功耗并降低了制造成本。这些数字IC，以微处理器，数字信号处理器（DSP）和单片机为表示，工作中使用二进制，处理1和0信号。随着集成电路的发展，晶体管的数量每两年翻一番，使得芯片每单位面积容量增加，成本降低，功能增强。MDD04N60ZT4G

集成纳米级别设备的IC在泄漏电流方面存在挑战，制造商需要采用更先进的几何学来解决这一问题。MC100E404FN

这些年来，IC持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每两年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流（leakage current）。因此，对于用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图（ITRS）中有很好的描述。MC100E404FN