天津快恢复二极管MURB1660

时间:2023年12月07日 来源:

    本实用新型关乎二极管技术领域,更是关乎一种高压快回复二极管芯片。背景技术:高压快恢复二极管的特征:开关特点好、反向回复时间短,耐压较高,但由于正向压降大,功耗也大,易于发烧,高压快回复二极管的芯片一般都是封装在塑料壳内,热能不易散发出去,会影响到二极管芯片的工作。技术实现元素:(一)化解的技术疑问针对现有技术的欠缺,本实用新型提供了一种高压快回复二极管芯片,化解了现有的高压快回复二极管易于发烧,热能不易散发出去,会影响到二极管芯片的工作的疑问。(二)技术方案为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高压快回复二极管芯片,包括芯片本体,所述芯片本体裹在热熔胶内,所述热熔胶裹在在封装外壳内,所述封装外壳由金属材质制成,所述封装外壳的内部设有散热组件,所述散热组件包括多个散热杆,多个散热杆呈辐射状固定在所述芯片本体上,所述散热杆的另一端抵触在所述封装外壳的内壁,所述散热杆与所述芯片本体的端部上裹有绝缘膜,所述散热杆的内部中空且所述散热杆的内部填入有冰晶混合物。所述封装外壳的壳壁呈双层构造且所述封装外壳的壳壁的内部设有容纳腔,所述容纳腔与所述散热杆的内部连接。MUR1020CT是快恢复二极管吗?天津快恢复二极管MURB1660

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    一种用以逆变焊机电源及各种开关电源的二极管,尤其是关乎一种非绝缘双塔型二极管模块。背景技术:非绝缘双塔结构二极管是一种标准化外形尺码的模块产品,由于产品外形简便、成本低,适用范围广。而目前公开的非绝缘双塔型二极管模块,见图i所示,由二极管芯片3'、底板r、带螺孔的主电极铜块5'以及外壳9,组成,二极管芯片3'的上下面分别通过上钼片2'、下钼片4'与底板l'和主电极铜块5'固定连接,主电极铜块5'与外壳9'和底板r之间用环氧树脂灌注,在高温下固化将三者固定在一起。由于主电极为块状构造,故底板、二极管芯片、主电极之间均为硬连接。在长期工作运行过程中,由于二极管芯片要经受机器振动、机器应力以及热应力等因素的影响,使得二极管内部的半导体二极管芯片也产生机器应力。因与二极管芯片连接的材质不同其热膨胀系数也不同,又会使二极管芯片产生热应力,一旦主电极时有发生松动,就会引致二极管芯片的碎裂。常规非绝缘双塔型二极管模块在安装过程中是将底板安装在散热器上,然后将另一电极用螺丝安装在主电极铜块上,主电极所经受的外力一部分力直接效用到二极管芯片上,会使二极管芯片背负外力而伤害,引致二极管特点变坏,下降工作可靠性。福建快恢复二极管MUR3060CTR快恢复二极管在PFC电路中的作用!

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    2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。2.检测方法(1)测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号。

    以及逆变器和焊接电源中的功率开关的保护二极管和续流二极管。2.迅速软恢复二极管的一种方法使用缓冲层构造明显改善了二极管的反向恢复属性。为了缩短二极管的反向恢复时间,提高反向回复软度,同时使二极管具备较高的耐压,使用了缓冲层构造,即运用杂质控制技术由轻掺杂的N1区及较重掺杂的N2区构成N基区;二极管的正极使用由轻掺杂的P区与重掺杂的P+区镶嵌构成,该P-P+构造可以操纵空穴的注入效应,从而达到支配自调节发射效率和缩短反向回复时间的目的。图4使用缓冲层构造二极管示意图芯片设计原始硅片根据二极管电压要求,同常规低导通压降二极管设计参数相同。使用正三角形P+短路点构造,轻掺杂的P区表面浓度约为1017cm-3,短路点浓度约为1019cm-3。阴极面N1表面浓度约为1018cm-3,N2表面浓度约为1020cm-3。少子寿命控制目前少子寿命控制方式基本上有三种,掺金、掺铂和辐照,辐照也有多种方式,常用的方式是高能电子辐照。缓冲层构造的迅速二极管的少子寿命控制方式是使用金轻掺杂和电子辐照相结合的办法。图5缓冲层构造的迅速二极管的能带示意图从能带示意图中可以看出,在两个高补偿区之间形成一个电子圈套。当二极管处于反偏时,电子从二极管阴极面抽走。MUR3060CTR是什么类型的管子?

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    公司生产的快恢复二极管被应用于电动自行车充电器、车载逆变器、电焊机、等离子切割机、冷焊机、电机控制、汽车音响、氙气灯安定器、开关电源、电动车控制器、脉冲火花机等产品中,质量稳定,交货及时,服务到位,性价比高。并且可以为客户定制产品LOGO,产品型号丰富,常用的有MUR860、MUR1060、MUR1560、MUR1540、MUR1660CT、MUR1640CT、MUR2040CT、MUR2060CT、MUR3060CT、MURF3040CT、MURF2060CT、MURF2040CT、MURF1660CT、MURF1640CT、MURB1560等;封装种类齐全,常用的有TO220AC、TO220AB、ITO220AC、ITO220AB、TO263-2L、TO263-3L、并提供内部结构是共阳、左串联、右串联的产品。产品可以满足绝大多数客户的需求。公司一直致力于新品研发,不断满足客户的需求。 MUR1640CT二极管的主要参数。TO247封装的快恢复二极管MUR1060CTR

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    发明内容本实用新型的目的是提供一种在安装以及运行过程中能下降二极管芯片的机器应力和热应力,能提高二极管工作可靠性的非绝缘双塔型二极管模块。本实用新型为达到上述目的的技术方案是一种非绝缘双塔型二极管模块,包括底板、二极管芯片、主电极以及外壳,其特性在于所述二极管芯片的下端面通过下过渡层固定连结在底板上,二极管芯片的上端面通过上渡层与连接桥板的一侧固定连接,联接桥板是具备两个以上折弯的条板,连通桥板的另一侧通过绝缘体固定在底板上,顶部具定位凹槽的外壳固定在底板上;所述的主电极为两个以上折边的条板,主电极的内侧与连通桥板固定连接,主电极的另一侧穿出外壳并覆在外壳顶部,且覆在外壳顶部的主电极上设有过孔与壳体上的定位凹槽对应,下过渡层、二极管芯片、上过渡层、连通桥板、绝缘体的外周以及主电极的一侧灌注软弹性胶密封。本实用新型使用上述技术方案后兼具以下的优点1、本实用新型将有着折弯的连接桥板的两侧分别固定在二极管芯片和主极板之间,而二极管芯片和连接桥板的一侧分别连通在底板上,当二极管受到机器应力和热应力后,可通过连结桥板的变形来获释所受到的应力,加之主电极也为折弯的条板。天津快恢复二极管MURB1660

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