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    所述第二热接口材料层与所述集成电路热耦联，和能够移除的散热器，所述散热器与所述第二热接口材料层热耦联，所述散热器具有越过印刷电路板的与所述连接侧相对的侧延伸的顶表面；其中，所述两个印刷电路装配件被相对地放置在一起，使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的所述热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联。在另一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的装置，所述装置包括：两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；其中，所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。在又一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的方法。进口集成电路，认准深圳市美信美科技。珠海双极型集成电路选哪家

    可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“且，为便于描述，在此可以使用诸如个实施例和和布置的具体实例等空间相对术语，以描述所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地做出相应的解释。磁阻式随机存取存储器(mram)单元包括垂直布置在导电电极之间的磁隧道结(mtj)。mtj包括通过隧穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。固定层的磁取向是静态的(即，固定的)，而自由层的磁取向能够在相对于固定层的磁取向的平行配置和反平行配置之间切换。平行配置提供低电阻状态，低电阻状态数字化地将数据存储为位值(例如，逻辑“”)。反平行配置提供高电阻状态，高电阻状态数字化地将数据存储为位值(例如，逻辑“”)。随着集成芯片的功能增多。对更多的存储器的需求也增加，从而使得集成芯片设计者和制造商必须增加可用存储器的量，同时减小集成芯片的尺寸和功耗。上海超大规模集成电路技术早期的集成电路使用陶瓷扁平封装，这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。

    在互连层a的上表面上方形成多个底电极通孔。多个底电极通孔由介电层围绕。在一些实施例中，介电层可以沉积在互连层a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔。在各个实施例中，介电层可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔上方形成多个mtj器件、和。多个mtj器件、和分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以形成为接触底电极通孔。在其它实施例中。自由层可以形成为接触底电极通孔。多个mtj器件、和中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件。多个mtj器件、和中的一个或多个包括设置在调节访问装置内的调节mtj器件和，调节访问装置被配置为控制(即，调节)提供给相关的工作mtj器件的电流。在一些实施例中，可以同时形成多个mtj器件、和。例如，在一些实施例中，可以通过在介电层和多个底电极通孔上方沉积磁固定膜。在磁固定膜上方形成介电阻挡膜，并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件、和。

    图至图中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。的截面图所示，在衬底上方形成互连层a。在一些实施例中，通过在衬底上方形成层间介电(ild)层来形成互连层a。在一些实施例中，ild层可以通过一个或多个附加介电层与衬底分隔开。图案化ild层以限定沟槽。在一些实施例中，可以通过在ild层上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层。在沟槽内形成导电材料，以及随后是平坦化工艺(例如。化学机械平坦化工艺)以形成互连层a。在各个实施例中，衬底可以是任何类型的半导体主体(例如。硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示。集成电路具有规模生产能力，可靠性等特点。

    亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与所述热接口材料层热耦联。图是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图6是印刷电路装配件的图，包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件并且包括已附接的分流管。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的，并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量，特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却，但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的，并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时，液体浸入式冷却是杂乱的。集成电路产业它不仅包含集成电路市场，也包括IP核市场、EDA市场、芯片代工市场、封测市场。北京圆形集成电路选哪家

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    图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，调节访问装置包括调节mtj器件、调节mtj器件和第三调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，第三调节mtj器件连接在偏置电压线(例如，bvl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件连接在第三调节mtj器件和位线(例如，bl)之间。包含第三调节mtj器件在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件内的电流方面赋予调节访问装置更大的灵活性。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图至图b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图至图b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图至，该存储器电路包括存储单元(例如。mram单元)，各存储单元具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。虽然关于方法描述了图至图，但是应该理解。珠海双极型集成电路选哪家