规格书WILLSEMI韦尔ESD56201D20
ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述
ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止因静电放电(ESD)而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311Z可用于提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
截止电压:5V
每条线路根据IEC61000-4-2(ESD)标准进行瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)标准进行瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)标准进行瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
应用领域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311Z专为高速数据接口设计,极低电容,出色保护,防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口,保护敏感组件。紧凑封装,适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WPM2031-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-723。规格书WILLSEMI韦尔ESD56201D20
WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中,WS72551是单放大器,WS72552是双放大器,分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度,并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围(-40°C至+125°C)。封装72551:MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8 SOIC8。
技术特性:偏移电压只有3μV,漂移为0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移,因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。
应用领域:
温度传感器
压力传感器
精密电流感测
应变计放大器
医疗仪器
热电偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性,适用于温度、压力、电流感测等多种应用,为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM6001AWS3222D-8/TR 功率电子开关 封装:WDFN-8-EP(2x2)。
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性:
· 截止电压:5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。
WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56201D04-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1610-2。
WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件,其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。
特点:
RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻,3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON),这意味着在器件导通时,其电阻较小,从而减小了能量损失。低门极电荷:门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。3407的低门极电荷可以更快地开关,从而减少开关损耗。无铅:符合环保要求,适用于对无铅产品有需求的场合。
应用:
笔记本电脑的电源管理:3407可以用于笔记本电脑中的DC-DC转换器,以提供稳定的电源。
便携式设备:由于它的快速开关和低能量损失,3407也适用于各种便携式设备,如智能手机、平板电脑等。
电池供电系统:在电池供电的应用中,减少能量损失和延长电池寿命是非常重要的,3407的出色RDS(ON)和低门极电荷特性使其成为电池供电系统的理想选择。
DC/DC转换器:这是3407的主要应用之一,用于将一种直流电压转换为另一种直流电压。
负载开关:3407可以用于控制电路的通断,实现负载开关的功能。
如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56281N05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔ESD56201D20
WD1042E-5/TR DC-DC电源芯片 封装:SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔ESD56201D20
ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器(TVS),为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器(MLV),适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装,标准产品为无铅、无卤素。
特性:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)为每条线路提供瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=1.2pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速,避免噪声和干扰,高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56201D20
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