中文资料WILLSEMI韦尔WPM2005B
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性：
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用：
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5651N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WPM2005B
WL2836E：低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO
产品描述：
WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR（电源抑制比）、低压降CMOS线性稳压器，具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流，因此电流限制功能既作为短路保护，又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 输入电压范围：1.4V~5.5V
· 输出电压范围：0.8V~3.3V
· 输出电流：300mA
· 静态电流：50μATyp
· 关机电流：<1μA
· 压降电压：140mV@IOUT=0.3A
· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V
· 低输出电压噪声：20μVRMSTyp
· 输出电压容差：±2%@VOUT>2V
· 推荐电容器：1μF
· 热过载和短路保护
应用领域
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2836E是高性能CMOS线性稳压器，专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能，提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装，无铅无卤素，满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56181W20WCM2001-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-6L-EP(2x2)。
WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET
产品描述：
WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性：
· 槽型技术
· 超高密度单元设计
· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换器
· 电路电源开关
· 负载开关充电
WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。
RB521S30肖特基势垒二极管
特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用：低电流整流
介绍：
RB521S30是一款肖特基势垒二极管，它具有一系列出色的特性，使其在各种应用中表现优异。首先，其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装，同时确保了高效的热量散发。其次，高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能，减少了维护和更换的频率。
此外，低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性，它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色，如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是，RB521S30是无铅器件，符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强，无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时，也符合了环保要求。
总的来说，RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性，成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师，都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046E-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。
WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述：
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS4768Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN-10(1.8x1.4)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73002F
WL2801E13-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔WPM2005B
ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器
ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）
· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域包括：
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 中文资料WILLSEMI韦尔WPM2005B