规格书WILLSEMI韦尔ESD5621W15
ESD9B5VL：单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD9B5VL可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压：±5VMax
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路
· 瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：20A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：3A（8/20μs）
· 电容：CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流：IR<1nAtyp
· 低箝位电压：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备，保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压，稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD5311N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：X1-DFN1006-2。规格书WILLSEMI韦尔ESD5621W15
WS4612：60mΩ电流限制型电源分配开关
产品描述
WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4612还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
· 输入电压范围：2.5-5.5V
· 主开关RON：60mΩ@VIN=5.0V
· 电流限制精度：±15%
· 调整电流限制范围：0.1A-2.5A（典型值）
· 典型上升时间：600μS
· 静态供电电流：26μA
· 欠压锁定
· 自动放电
· 反向阻断（无“体二极管”）
· 过温保护
应用领域
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4612是功能丰富的电源分配开关，专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能，应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配，确保设备稳定运行。紧凑封装，环保无铅无卤素设计，易集成。详情查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM4017WNM6001-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。
WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。
主要特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 适用于高直流电流的优异导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动
· DC-DC转换器电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电电路
WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
1、截止电压：5V
2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
5、低电容：CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流：IR<1nAtyp.
7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域：
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 WNM2046B-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性：
· 截止电压：±3.3VMax
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.2pFtyp
· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域：
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WD3133E-5/TR DC-DC电源芯片 封装：SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔WSB5518W
WL2803E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔ESD5621W15
ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。
特性：
· 极低电容：CJ=0.5pFtyp
· 极低漏电流：IR<1nAtyp
· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护
· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5621W15
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