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Ia与Il成正比，即当光电二极管的光电流增大时，光控晶闸管的输出电流也相应增大，同时Il的增大，使BGl、BG2的电流放大系数a1、a2也增大。当al与a2之和接近l时，光控晶闸管的Ia达到**大，即完全导通。能使光控晶闸管导通的**小光照度，称其为导通光照度。光控晶闸管与普通晶闸管一样，一经触发，即成通导状态。只要有足够强度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成为通导状态，而后即使撤离光源也能维持导通，除非加在阳极和阴极之间的电压为零或反相，才能关闭。3．光控晶闸管的特性为了使光控晶闸管能在微弱的光照下触发导通，因此必须使光控晶闸管在极小的控制电流下能可靠地导通。这样光控晶闸管受到了高温和耐压的限制，在目前的条件下，不可能与普通晶闸管一样做成大功率的。光控晶闸管除了触发信号不同以外，其它特性基本与普通晶闸管是相同的，因此在使用时可按照普通晶闸管选择，只要注意它是光控这个特点就行了。光控晶闸管对光源的波长有一定的要求，即有选择性。波长在——，都是光控晶闸管较为理想的光源。使用注意事项/晶闸管编辑选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。1、选用可控硅的额定电流时。晶闸管的工作特性可以概括为∶正向阻断，触发导通，反向阻断。云南晶闸管模块

家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。在这些技术应用系统电路中，可控硅元件可以多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关进行如何有效保护晶闸管在行业应用晶闸管越来越广，作为行业增加应用范围。晶闸管的功能更加。但有时，在晶闸管的过程中会造成一定的伤害。为了保证晶闸管的生活，我们如何更好地保护区晶闸管呢？1、过电压保护晶闸管对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。过电压产生的主要原因是所提供的电力或系统的储能发生了激烈的变化，使系统转换太晚，或系统中积累的电磁能量来不及消散。主要发现开关开闭引起的雷击和冲击电压等外部冲击引起的过电压有两种类型。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰。陕西晶闸管模块联系人根据晶闸管的工作特性，常见的应用就是现场用的不间断应急灯。

引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，抑制了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：当参考压敏电阻直流1mA电流流动，它两端的电压值。通流数据容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形进行冲击以及电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称工作电压发生变化在-10［%］以内的大经济冲击产生电流值来表示。因为企业正常的压敏电阻粒界层只有通过一定程度大小的放电容量和放电次数，标称电压值不会随着研究放电次数不断增多而下降，而且也随着不同放电产生电流幅值的增大而下降，当大到某一部分电流时，标称电压下降到0，压敏电阻可以出现穿孔，甚至炸裂；因此我们必须进行限定通流数据容量。漏电流：将标称直流电压的一半加到压敏电阻上测量的电流。由于压敏电阻的通流容量大，残压低，抑制过电压能力强；平时漏电流小，放电后不会有续流，元件的标称电压等级多，便于用户选择；伏安特性是对称的，可用于交、直流或正负浪涌；因此用途较广。过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须受到严格的控制。

其**新研制出的IGCT拥有更好的性能，其直径为英寸，单阀片耐压值也是。**大通流能力已经可以达到180kA/30us，**高可承受电流上升率di/dt为20kA/us。门极可承受触发电流**大值为2000A，触发电流上升率di/dt**大为1000A/us。但是此种开关所能承受的反向电压较低，因此还只能在特定的脉冲电源中使用。[1]但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶闸管属于半控型器件，通过门极（控制极）只能控制其开通而不能控制其关断，导通后控制极即不再起作用，要关断必须切断电源，即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性，必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路，从而使装置体积增大，成本增加，而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构，开通损耗大，工作频率难以提高，限制了其应用范围。1970年代末，随着可关断晶闸管（GTO）日趋成熟，成功克服了普通晶闸管的缺陷，标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，即晶闸管导通后，门极失去作用。

故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高其电流放大系数a2，产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1，产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0，即使此时门极电流Ig=0，晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。特性特性曲线晶闸管的阳极电压与阳极电流的关系，称为晶闸管的伏安特性，如图所示。晶闸管的阳极与阴极间加上正向电压时，在晶闸管控制极开路(Ig=0)情况下，开始元件中有很小的电流(称为正向漏电流)流过。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。陕西晶闸管模块联系人

晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。云南晶闸管模块

而单向可控硅经触发后只能从其中阳极向阴极单方行为向导通，所以采用可控硅有单双向关系之分。电子生产中常用的SCR，单向MCR-100，双向TLC336等双向可控硅按象限来分，又分为四象三端双向可控硅、三象限双向可控硅;按包装:一般分为半塑料包装、外绝缘全塑料包装;按触发电流来分：分为微触型、高灵敏度型、标准触发型;按电压分：常规工作电压进行品种、高压品种。可控硅产品由于它在电路应用中的效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。可控硅发展到，在工艺上已经非常成熟，质量更好，收率有了很大的提高，并向高压大电流发展。可控硅在应用电路中的作用体现在：可控整流：如同二极管整流一样，将交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，有效地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流→可变直流之转变;无触点功率静态开关（固态开关）：作为功率开关元件，可控硅可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。因此可控硅元件被广应用于各种电子设备和电子产品的电路中，多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。云南晶闸管模块