STP31N65M5 MOS(场效应管)

    二极管特性参数：反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和*高反向电压作用*，*过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不*失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流*为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]*高工作频率*高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以**工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。[4]*大整流电流*大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的*大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热。 发光二极管不仅用于照明，还常用于指示和显示。STP31N65M5 MOS(场效应管)

    二极管的伏安特性：二极管的伏安特性描述了其电压与电流之间的关系。正向偏置时，二极管导通，电流随电压的增加而迅速上升；反向偏置时，二极管截止，只有很小的反向饱和电流。了解二极管的伏安特性对于正确使用和设计电路至关重要。二极管的温度特性：二极管的工作性能受温度影响较大。随着温度的升高，二极管的正向压降会减小，反向饱和电流会增加。因此，在高温环境下使用二极管时，需要考虑其温度特性，选择合适的型号和散热措施。STN888 超小型管发光二极管能将电能转化为光能，照亮我们的生活。

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开[2]。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是一开始诞生的半导体器件之一，其应用非常多。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。

    二极管的作用：整流器：二极管可用作整流器，将交流电信号转换为直流电信号。通过只允许电流在一个方向上流动，二极管可以将交流信号的负半周截去，使电流只在正半周通过，从而实现整流。信号检测：二极管可以用作信号检测器。在无线电和通信系统中，二极管通过将电流只允许在一个方向上流动来检测和提取调制信号。电压调节器：二极管可以用于电压调节器电路，保护电路免受过高电压的影响。例如，锗二极管和硅二极管被用作稳压二极管，以提供稳定的电压输出。电流保护：二极管可以用于电流保护电路。在电路中，当电流超过二极管的额定值时，二极管会变为导通状态，将多余的电流引流，从而保护其他电子元件免受损害。光电转换：光二极管（光电二极管）可以将光信号转换为电信号。当光照射到光二极管时，产生的光电流可以用于感应和测量光的强度、光电转换等应用。逻辑门：二极管可以用于构建数字逻辑门电路，如与门、或门、非门等。通过控制二极管的导通和截止状态，实现逻辑功能的实现。温度测量：某些特殊类型的二极管，如热敏二极管，其电阻值随温度的变化而变化。这种特性可用于温度测量和温度补偿应用。以上是二极管的一些常见作用和应用。 二极管在发光二极管（LED）中的应用，使得现代照明技术更加节能高效。

    二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管*普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 随着技术的进步，新型二极管不断涌现，为电子产业带来更多可能性。TYN20X-800T

当二极管反向偏置时，即正极接低电位，负极接高电位，二极管截止，电流很小。STP31N65M5 MOS(场效应管)

    开关二极管工作特性：开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的，像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒，即使是锗开关二极管，也不过几百纳秒。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 STP31N65M5 MOS(场效应管)