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或电流）的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态。3.一旦晶闸管开始导通，它就被钳住在导通状态，而此时门极电流可以取消。晶闸管不能被门极关断，像一个二极管一样导通，直到电流降至零和有反向偏置电压作用在晶闸管上时，它才会截止。当晶闸管再次进入正向阻断状态后，允许门极在某个可控的时刻将晶闸管再次触发导通。晶闸管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟，如图G1所示。当晶闸管的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和。四川优势晶闸管模块推荐厂家

采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。（4）阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率，因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件，为防止出现振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容，接线应尽量短。（5）吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度越低耐压越高；另外是硒堆具有自恢复特性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖，又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时。四川优势晶闸管模块推荐厂家晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作。

美国通用电气公司研发了世界上***个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR），1957年又开发了全球较早用于功率转换和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势，尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率，令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上，晶闸管迅速取代了**整流器（引燃管），实现整流器的固体化、静止化和无触点化，并获得巨大的节能效果。从1960年代开始，由普通晶闸管相继衍生出了快速晶闸管、光控晶闸管、不对称晶闸管及双向晶闸管等各种特性的晶闸管，形成一个庞大的晶闸管家族。晶闸管在应用中有效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点，其能承受的电压和电流容量是目前电力电子器件中**高的，而且工作可靠。因晶闸管的上述优点，国外对晶闸管在脉冲功率源领域内应用的研究做了大量的工作，很多脉冲功率能源模块已经使用晶闸管作为主开关。而国内的大功率晶闸管主要应用在高压直流输电的工频环境下，其工频工作条件下的技术参数指标不足以准确反映其在脉冲电源这种高电压、大电流、高陡度的环境下的使用情况。

使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强迫关断。这就需要增加换向电路，不*使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已***用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极**大可关断电流IATM与门极**大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。

具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此，通过用万用表的R×100或R×1kQ档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。晶闸管触发能力检测：对于小功率(工作电流为5A以下)的普通晶闸管，可用万用表R×1档测量。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。四川优势晶闸管模块推荐厂家

正向比较大阻断电压，是指门极开路时，允许加在阳极、阴极之间的比较大正向电压。四川优势晶闸管模块推荐厂家

引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，抑制了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：当参考压敏电阻直流1mA电流流动，它两端的电压值。通流数据容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形进行冲击以及电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称工作电压发生变化在-10［%］以内的大经济冲击产生电流值来表示。因为企业正常的压敏电阻粒界层只有通过一定程度大小的放电容量和放电次数，标称电压值不会随着研究放电次数不断增多而下降，而且也随着不同放电产生电流幅值的增大而下降，当大到某一部分电流时，标称电压下降到0，压敏电阻可以出现穿孔，甚至炸裂；因此我们必须进行限定通流数据容量。漏电流：将标称直流电压的一半加到压敏电阻上测量的电流。由于压敏电阻的通流容量大，残压低，抑制过电压能力强；平时漏电流小，放电后不会有续流，元件的标称电压等级多，便于用户选择；伏安特性是对称的，可用于交、直流或正负浪涌；因此用途较广。过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须受到严格的控制。四川优势晶闸管模块推荐厂家