广西3MTDC模块

可控硅模块的简要说明：

可控硅模块的出现已经历史悠久，它的出现也帮助人们解决了很多难题，凭借它的优势，使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎，

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。

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晶闸管智能模块是把晶闸管主电路与移向触发系统（即触发板）集成共同封装在一个塑料外壳内，从而省去了触发板与晶闸管之间的连接线、晶闸管与晶闸管之间的连接线，减小了接线错误的几率，维护方便，普通电工即可完成操作，省去人员成本。把触发板封装到模块内，环境中的粉尘、湿气等都不会对其产生影响，增加了可靠性。

工作原理

  晶闸管智能模块用于电加热控制柜内，通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度，然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压，形成一个温度闭环系统，来保持炉内温度恒定。

广西3MTDC模块奥凯电气设备技术力量雄厚，工装设备和检测仪器齐备，检验与实验手段完善。

可控硅模块与双极型晶体管的主要区别与分辨：

  大家都知道可控硅模块与双极型晶体管有密切的关系，可控硅模块用途的多样性让人看的眼花缭乱，甚至难以相信，为什么可控硅模块会有如此出众的表现呢？下面我们首先来介绍一下可控规模，再来了解它与双极型晶体管的密切关系：

  让我们看看可控硅模块的专业介绍，可控硅模块在发现与制备的时候，已经经历了非常漫长的时间，在它不断走向成熟的时候，可控硅模块的更多用途也在被不断发掘出来。

  就像它无尽的潜力，在压力与动力并存的情况下，爆发开来。接下来，仍然会有更多的关于可控硅模块的发现。

  可控硅模块与双极型晶体管有密切的关系：二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴，但可控硅模块的开关机制和双极晶体管是不同的，且因为器件结构不同，可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。

  双极晶体管由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。

随着智能调压模块在电气自动化领域中的应用越来越大范围，它在发挥其工作上也发挥着机器重要的作用，相信对于那些对该产品的应用比较熟悉的人来说，对于它的使用情况已经是再熟悉不过了，但是对于刚接触的人来说，想要系统的了解一 下可能就稍微困难了，那么接下来小编就带大家一起来了解一下它的使用方法吧。

  1、各功能端相对com端必须为正，若com端为负极，极性相反，则智能调压模块主回路输出端可能失控。

  2、智能调压模块各功能端的控制特性均为正极性，即控制电压越高，模块强电主回路输出电压越高。

  3、在某一时刻宜使用一种输入控制方式，若2种以上方式同时输入使用，则输入信号较强的一种起主要作用。

  4、电源为上进下出，三相交流电路的进线R、S、T无相序要求，导线粗细按实际使用电流选择。

  5、N线*为模块内部开关电源用，用1平方细导线即可，N线与各输入控制端之间为全隔离绝缘设计。

  6、在使用过程中若发生过流现象，应首先检查负载有无短路等故障。可在模块的进线R、S、T端之前安装快速熔断器进行过流保护，规格可按实际负载电流的1.5倍选配。 奥凯电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。

调压模块的结构：

一体化三相调压模块结构如图1所示，1、3、5为模块进线端，2、4、6为模块出线端，分别连接电源和负载。左侧6个接线端为控制功能端，分别为4～20 mA信号输入端、0～10 V信号输入端、0～5 V信号输入端、0～10 mA信号输入端及手动控制输入端。当某控制端(如4～20 mA功能端)输入信号由小(4 mA)连续的变化到比较大(20 mA)时，模块的输出线电压由0 V连续的变化到电网电压380 V。

三相交流一体化移相调压模块是一使用简单、可靠性高的新型智能模块，它可直接带动变压器等感性负载或电加热等阻性负载工作。采用它实现功率调节的温度控制系统，可有效地实现浸漆后电机绕组的烘干处理。系统外部接线简单、运行稳定，维护和维修方便。调压模块应用时，应注意模块内可控硅在较小导通角下长时间输出较大电流(即主电路输入电压很高，输出电压很低)，这可能导致模块严重发热。故应考虑负载与模块匹配，使模块在较大的导通角下工作。

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晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 广西3MTDC模块

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