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半导体设备可分为晶圆处理设备、封装设备、测试设备和其他设备，其他设备包括硅片制造设备、洁静设备、光罩等。这些设备分别对应集成电路制造、封装、测试和硅片制造等工序，分别用在集成电路生产工艺的不同工序里。在整个半导体设备市场中，晶圆制造设备大约占整体的80%，封装及组装设备大约占7%，测试设备大约占9%，其他设备大约占4%。而在晶圆制造设备中，光刻机，刻蚀机，薄膜沉积设备为设备，分别占晶圆制造环节设备成本的30%，25%，25%。半导体设备处于该产业链的上游，虽然市场总量与下游的IC设计、制造、封测比相对较小，但其技术高度密集、前列这一特点，决定半导体设备在整个行业中起着举足轻重的作用，为下游的制造、封测源源不断地提供着“粮食”。SEMI的数据显示，2017年全球半导体设备市场规模达，较2016年大幅增长，创历史新高，增速为近7年来的比较高水平。在由SEMI统计的2017年全球前12的半导体设备厂商榜单中，绝大部分营收增长都非常强劲。其中，排名的厂商，年营收增长率全是正数，没有出现负增长的情况，而且，除了排名第6的迪恩士（年增长1%）和排第8的日立高新（年增长5%）外，其它8家的增幅都处于高位，其中，排名第7的细美事。 半导体设备进口清关、半导体设备进口搬迁物流服务，进口半导体设备应该注意问题。深圳半导体设备进口报关客服电话

半导体设备位于整个半导体产业链的上游，在新建晶圆厂中半导体设备支出的占比普遍达到80%。一条晶圆制造新建产线的资本支出占比如下：厂房20%、晶圆制造设备65%、组装封装设备5%，测试设备7%，其他3%。其中晶圆制造设备在半导体设备中占比比较大，进一步细分晶圆制造设备类型，光刻机占比30%，刻蚀20%，PVD15%，CVD10%，量测10%，离子注入5%，抛光5%，扩散5%。17年全球半导体设备市场总量约为566亿美元，同比+37%，2018年预计在600亿美元规模。中国是全球半导体设备的第三大市场，17年中国半导体设备，增速27%。1956年制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。同期教育部集中各方资源在北京大学设立半导体专业，培养了包括王阳元院士、许居衍院士等批半导体人才。半导体产业链复杂、技术难度高、需要资金巨大，且当时国内外特定的社会环境，中国在资金、人才及体制等各方面困难较多，导致中国半导体的发展举步维艰。(图表1、2为半导体产业链图)直到70年代，中国半导体产业的小规模生产才正式启动。原电子工业部部长在其著作《芯路历程》中回忆这一阶段历史。 宁波供应半导体设备进口报关海关编码ASML半导体设备进口清关、尼康半导体设备报关、佳能半导体设备清关代理。

随着芯片结构的不断细微化和工艺的不断复杂化，工艺检测设备在先进的前段生产线中起着越来越重要的作用。目前工艺检测设备投资占整个前端工艺设备总投资的10%~15%。工艺检测设备的供应商主要有科磊半导体、应用材料、日立高新等，国内厂商主要有上海睿励科学仪器和深圳中科飞测科技。、封装测试设备根据SEMI数据，2017年全球封装测试设备市场高速增长，销售额达到。2017年中国大陆半导体封装测试设备与封装模具市场增长了，达到，约为(按统计局2017年度平均汇率计笲:1美元=)，其中封装设备市场14亿美元，测试设备与封装模具市场为。2017年国内半导体设备市场规模为，封装测试设备占比超过1/3，达到。、启示:各类产品均呈现寡头竞争格局通过上文对全球设备的梳理，我们发现:每大类设备市场中，终都形成了寡头竞争的格局，名厂商占据了绝大部分的市场份额，呈现强者恒强大者恒大的特点。、ASML:光刻机，一骑绝尘、产品:光刻机ASML是全球光刻机。1984年，ASML由飞利浦与先进半导体材料国际(ASMI)合资成立，总部位于荷兰;1995年在阿姆斯特丹和纳斯达克交易所上市;2012年开展客户联合投资创新项目，三星、英特尔和台积电共同向ASML注资加速开发EUV;2017年公司EUV光刻机量产出货。

HJT:未来增长潜力无限异质结电池作为N型单晶双面电池的一员，早由日本三洋公司于1990年成功研发。2015年，三洋关于异质结的**保护结束，行业迎来大发展时期。异质结电池的特性包括以下几点:优点:(a)工艺流程短，工序少;(b)无光致衰减;(c)双面发电;(d)采用低温工艺从而热耗减少;(e)对称结构更利于薄片化.待改进点:(a)虽然电池效率相较于P型电池具有优势，但初期投资成本过高。目前，异质结单位投资额约为10亿元/GW，同期PERC为4亿元左右。(b)异质结电池的生产设备与现有常规晶硅电池不兼容。(c)无法采用常规晶硅电池的后续高温封装工艺，取而代之的为低温组件封装工艺。异质结电池生产工序包括:硅片→清洗→制绒→正面沉积非晶硅薄膜→背面沉积非晶硅薄膜→正反面沉积TCO薄膜→丝网印刷电极→边缘隔离→测试。概括来说，主要的四个工艺步骤为:制绒清洗→非晶硅薄膜沉积→TCO制备→电极制备。其中，非晶硅薄膜沉积、TCO制备工艺要求较高，目前以海外供应商为主。非晶硅薄膜沉积领域:主要用到的设备为等离子化学气相沉积(PECVD)与热丝化学气相沉积(Cat-CVD/HWCVD)。非晶硅沉积设备主流供应商包括美国应用材料、瑞士梅耶博格、韩国周星、日本爱发科、日本真空等。 扩散炉进口清关报关公司、化学沉积设备进口清关公司。

公司参与认购中芯国际配售股份，公司作为fabless厂与晶圆代工厂中芯国际战略合作形成虚拟IDM，在产能上将有望优先获得中芯国际的支持，从而提高公司产品的占有率。收购思立微，形成MCU+存储+交互解决方案。2018年3月，公司收购国内市场的智能人机交互解决方案供应商思立微，其产品以触控芯片和指纹芯片等新一代智能移动终端传感器SoC芯片为主。本次交易将一定程度上补足公司在传感器、信号处理、算法和人机交互方面的研发技术，提升相关技术领域的产品化能力，在整体上形成完整的MCU+存储+交互系统解决方案，为上市公司进一步快速发展注入动力。公司牵手合肥产投，进军DRAM领域；入股中芯国际，形成虚拟IDM，提高产能扩充能力；收购思立微，形成MCU+存储+交互解决方案，为上市公司进一步快速发展注入动力。 公司在半导体设备/LCD面板设备/光伏电池片设备的进口物流和报关细作耕耘。宁波供应半导体设备进口报关海关编码

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获取报告请登录未来智库。，MOCVD实现国产替代公司深耕刻蚀设备，技术比肩国际巨头。中微公司成立于2004年，前身为中微有限。公司主营业务为半导体等离子刻蚀设备（Etch）和用于LED的金属气相沉积设备（MOCVD），刻蚀设备方面，公司自成立以来便着手开发等离子刻蚀设备，目前已涵盖CCP、ICP和深硅刻蚀三大领域，刻蚀设备已在海内外前列客户芯片生产线进行65纳米到5纳米工艺的芯片加工制造。由于公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产，美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。CCP刻蚀设备：自成立伊始公司就着手开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE（CCP刻蚀设备），到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE、双反应台PrimoAD-RIE和单反应台PrimoSSCAD-RIE三代刻蚀设备，以及用于存储芯片的PrimoHD-RIE，涵盖65-5纳米微观器件的众多刻蚀应用。ICP刻蚀设备：2012年公司开发电感性等离子体刻蚀设备（ICP刻蚀设备），2018年发布代电感耦合等离子体刻蚀设备Primonanova，该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀（STI）、多晶硅栅极刻蚀；同时可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀。 深圳半导体设备进口报关客服电话

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