2025年3月10日上海市国际先进陶瓷展

从国内看，碳化硅制造厂商包括长飞先進、芯联集成、上海积塔、比亚迪、三安光电、士兰微、泰科天润等，其中长飞先進、芯联集成、上海积塔已实现碳化硅MOSFET产品的大规模量产，其他企业尚不具备大规模量产能力。三家企业产能合计为25万片/年，规划产能为44.8万片/年。国外he心技术封锁为常态，国产替代需求迫切。和许多先進科技一样，国内发展碳化硅产业也受到国外技术禁运的限制，尤其是宽禁带半导体器件在jun事领域的应用，这进一步催生了国产替代的迫切需求。国内碳化硅产业在自主创新的推动下，正加速自主研发步伐，以bao障供应链的安全稳定。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！中國‌國際先進陶瓷展览会，助力企业发展行业繁荣，与行业精英携手共创无限商机，3月10日在上海恭候您！2025年3月10日上海市国际先进陶瓷展

得益于碳化硅的物理特性，其功率器件较硅基器件具有更高的工作频率、更高的能量转换效率、更好的散热能力。碳化硅功率器件和功能模块广泛应用于新能源汽车、光伏发电、电源、轨道交通等领域。在新能源汽车领域，碳化硅功率器件主要用于电驱主逆变器、车载充电器（OBC）及DC-DC（直流—直流）转换器。随着新能源汽车需求增长及碳化硅功率器件的普及，其市场规模将进一步扩大。在光伏发电领域，碳化硅功率器件主要用于光伏逆变器，能提高能量转换效率、降低能量损耗、增加功率密度并解决系统成本。随着光伏电站电压等级从1000V提升至1500V，未来将进一步提升至1700V乃至2000V，在更高的电压等级下，碳化硅功率器件的优势将更加突出。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2025年3月10日上海市国际先进陶瓷展“中國‌國際先進陶瓷展览会：2025年3月10日与您上海见。分享行业前沿技术、创新应用和解决方案！

碳化硅衬底的电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为满足不同芯片功能需求，需制备不同电学性能的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，以及低电阻率（电阻率区间为15~30mΩ·cm）的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓射频器件，通过生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片；导电型碳化硅衬底主要用于制造功率器件，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的挠曲强度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的断裂韧性甚至超过了氧化锆掺杂陶瓷。功率模块内使用的覆铜陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷较低的挠曲强度，而后者会降低热循环能力。对于那些整合了极端热和机械应力的应用（例如混合动力汽车和电动汽车(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳选择。基板（陶瓷）和导体（铜）的热膨胀系数存在很大差异，会在热循环期间对键合区产生压力，进而降低可靠性。随着HEV/EV和可再生能源应用的增长，设计者找到了新方法来确保这些推动极具挑战性的新技术发展所需的电子元件的可靠性。由于工作寿命比电力电子使用的其它陶瓷长10倍或者更高，所以氮化硅基板能够提供对于达到必要的可靠性要求至关重要的机械强度。陶瓷基板的寿命是由在不出现剥离和其它影响电路功能与安全的故障的情况下，基板可以承受的热循环重复次数来衡量的。该测试通常是通过从-55°C到125°C或者150°C对样品进行循环运行来完成的。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！中國‌國際先進陶瓷展览会，为行业搭建品质的全产业链创新互动平台。2025年3月10日上海世博展览馆！

“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结，主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度，经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行，此方法需要较高的烧结温度（超过1000℃）和较长的保温时间。如果烧结温度较低，则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔，材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞，此时材料的电性能较差；烧结温度过高，可能导致晶界的移动速度过快，出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为：陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温，立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比，两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化，在抑制晶界迁移（这将导致晶粒长大）的同时，保持晶界扩散（这是坯体致密化的动力）处于活跃状态，来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间，然后再在较高的温度下保温，后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间，此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。赋能品质制造，探索万千可能。中國‌國際先進陶瓷展览会承载业界期许，2025年3月10-12日诚邀您莅临参观！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷技术会议

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注射成型过程中由于工艺参数控制不当，或者是喂料本身缺陷，以及模具设计不合理等因素，容易造成诸如欠注、断裂、孔洞、变形、毛边等各种缺陷。结合具体过程，对常见的注射缺陷进行分析，并加以控制，以提高生产率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模过程中不能充满整个模腔。一般在刚开始注射时产生，可能是由喂料温度或模具温度过低、加料量不足、喂料粘度过大等因素引起的。通过增加预塑时间升高喂料温度、升高模具温度、加大进料量、升高注射温度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、断裂缺陷断裂。一般发生在脱模中，往往是脆断。主要是因为模具温度太低，或者是保压和冷却时间过长，使得坯体温度大幅下降，引起的收缩太大使坯体紧紧箍在下部凸模上，在模具顶出机构的强烈冲击下，很容易引起脆断。通过适当升高模温以及减少保压和冷却时间，在脱模过程中可以避免断裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的横截面上可以发现的孔隙。有的是一个近圆形的小孔，有的就发展为几乎贯穿生坯坯体的中心通孔，这是常见的缺陷，注射成型样品不同部位产生的气孔的原因也不一样。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。2025年3月10日上海市国际先进陶瓷展