广东一体化共晶真空炉

IGBT模块封装的流程大致如下：贴片→真空回流焊接→超声波清洗→X-ray缺陷检测→引线键合→静态测试→二次焊接→壳体灌胶与固化→端子成形→功能测试（动态测试、绝缘测试、反偏测试）贴片，首先将IGBT wafer上的每一个die贴片到DBC上。DBC是覆铜陶瓷基板，中间是陶瓷，双面覆铜，DBC类似PCB起到导电和电气隔离等作用，常用的陶瓷绝缘材料为氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）；真空焊接，贴片后通过真空焊接将die与DBC固定，一般焊料是锡片或锡膏。自动化设备的应用促进了新一代IGBT模块的取代旧式双极管，成为电路制造中重要的电子器件。广东一体化共晶真空炉

探索IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究方法：使用厚度1mm的AlN陶瓷基板，无氧高导电铜箔(OFHC，0.05mm)，五水硫酸铜（CuSO4·5H2O），盐酸（HCl），硫酸（H2SO4），Cu-P阳极板（P含量0.05%），AgCuTi活性金属焊膏（Ti含量4.5%），烧结Cu浆。将AlN陶瓷和铜箔切割为尺寸10mm×10mm的正方形块状，并使用1000目砂纸打磨表面，然后在蒸馏水浴中超声清洗20min备用。DPC金属化：采用磁控溅射先在AlN陶瓷表面制备厚约1μm的Ti打底层，再制备一层厚约3μm的Cu种子层增厚至约50μm，完成金属化。贵州动态测试无功老化测试设备IGBT自动化设备在封装过程中减少了人工操作的错误风险。

关于共晶焊接的工艺是采用真空。／可控气氛共晶炉设备实现。使用真空／在芯片共晶焊中，可控气氛共晶炉需要注意以下问题：焊料的选用，焊接材料是共晶焊接的关键因素。AuGe等多种合金可用作焊接材料。、AuSn、AuSi、Snln、SnAg、SnBi等。，各种焊接材料适用于不同的应用场合，因为它们各自的特点。例如，含银的焊接材料SnAg很容易与镀层含银的端面接合，含金量高的合金焊接材料很容易与镀层含金量高的端面接合。共晶焊接层留下的空隙会影响接地效果和其他电气性能。

VDMOS功率器件工艺流程是在功率场效应晶体管(VDMOS)的基础上，在其承受高压的飘移区(N型IGBT的N-层)之下增加一层P+薄层引入了电导调制效应，从而较大程度上提高了器件的电流处理能力。IGBT制造流程主要是包括芯片设计，晶圆制造，封装测试；IGBT芯片的制程正面和标准VDMOS差异不大，背面工艺包括:1) 背面减薄；2) 背面注入；3) 背面清洗；4)背面金属化；5) 背面Alloy；这里介绍下IGBT封装的工艺流程及其设备。首先了解下IGBT模块跟单管主要优势有以下几个。多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在单独的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的筛选，其参数一致性比市售分立元件要好。动态测试IGBT自动化设备可评估器件在高负载情况下的温度和功耗。

封装结构散热类型：以传统半导体Si芯片和单面散热封装为表示的常规封装器件获得了良好的发展和应用，技术上发展相对比较成熟。但随着对更高电压等级更高功率密度需求的不断增长，传统应用于Si器件的封装技术已不能够满足现有发展和应用的要，目前传统Si基芯片的至高结温不超过175℃，温度循环的范围至大不超过200℃。相比Si器件，SiC器件在导通损耗、开关频率和具有高温运行能力方面具有明显的优势，至高理论工作结温更是高达600℃。若采用现有Si基封装技术，那么以SiC为表示的宽禁带半导体将无法充分发挥其高温运行的能力。自动化设备在IGBT模块的封装中提高了生产工艺的稳定性。非标共晶真空炉价位

通过功能测试，IGBT自动化设备能够检验产品的性能，确保符合工厂标准。广东一体化共晶真空炉

2022年6月新能源车国内零售渗透率27.4%，并且2022年6月29日欧盟对外宣布，欧盟27个成员国已经初步达成一致，欧洲将于2035年禁售燃油车。市场越来越景气，同时国内近期新发布的新能源车型也百花齐放。不论是普通消费者、新能源汽车产业相关从业者，还是一二级市场投资人，也逐渐深入关注研究新能源车的一些主要部件，尤其是功率器件IGBT模块。电驱系统和IGBT模块的作用，要弄明白IGBT模块，就要先了解新能源汽车的电驱系统，先用一句话概括电驱系统如何工作：在驾驶新能源汽车时，电机控制器把动力电池放出的直流电（DC）变为交流电（AC）（这个过程即逆变），让驱动电机工作，电机将电能转换成机械能，再通过传动系统（主要是减速器）让汽车的轮子跑起来。反过来，把车轮的机械能转换存储到电池的过程就是动能回收。广东一体化共晶真空炉