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假设S1在t0时刻之前已经经历过一次开关状态，并且处于关闭稳定状态，此时负载电感正在通过续流二极管D2续流。在t0时刻，S1接受了开启命令。开启延迟时间后，在t1时刻，S1的栅极达到开启阈值，并正式开始与邻家弟弟D2的电压和电流控制权竞争。虽然二极管弟弟D2依靠负载电感大哥来控制电流控制权，但在邻居S1和电源大哥Vdc的双重压迫下，他不得不首先移交电流控制权，所以在t1时刻，S1的电流迅速上升。那么为什么S1和D2的电压在电流交接过程中没有变化呢？原来D2弟弟还有一个技能。只要有电流通过，我就会保持正向导通状态。由于我处于正向导通状态，S1的集电极电压仍然是Vdc。S1知道二极管有这个特点，过早竞争是没有意义的。他认为只要D2的电流控制权来了，自然就不会被D2控制。因此，随着电流交接在t2时刻完成，S1的电压开始下降，D2也开始承受反向电压。IGBT自动化设备推动了IGBT模块技术的发展，使其具备通态压降低、开关速度快等优点。外壳组装兼容设备供应

将芯片焊接到DBC基板上，然后将DBC基板焊接到铜基板上，然后通过厚铝线键合工艺实现芯片与外端子之间的电连接，然后在外壳上安装密封剂，然后倒入硅胶，实现模块内的IGBT密封、防潮、抗震和绝缘。IGBT模块由MOSFET和BJT组成，容易发生静电穿透和过电应力损坏。该装置的安装表面暴露在空气中，容易氧化，影响后续的安装和使用。IGBT模块的封闭性使其难以进行过程检测。内部缺陷只能通过无损检测进行，必须采用特殊的检测方法进行筛选和保护。外壳组装兼容设备供应动态测试IGBT自动化设备可用于验证器件的可控性和稳定性。

IGBT的工作原理，IGBT是将晶体管的特性和开关电路的特性结合在一起，使其成为一种可以控制电流的新型电子元件。IGBT的结构使其可以实现从开启到关断的电流控制，而不会产生过大的漏电流，也不会影响其他电路的工作。IGBT的工作原理是将电路的电流控制分为两个部分：绝缘栅极的电流控制和双极型晶体管的电流控制。当绝缘栅极上的电压变化时，它会影响到晶体管的导通，从而控制电流的流动。当双极型晶体管的电流控制发挥作用时，它会进一步控制电流的流动，从而使IGBT的效率更高。IGBT的主要参数：1、电压限制：IGBT的电压范围一般在600V-6.5kV之间。2、功率限制：IGBT的功率范围一般在1W-15MW之间。3、漏电流：IGBT的漏电流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之间。4、损耗：IGBT的损耗一般比MOSFET要低，可以达到1W-15MW之间。5、热效应：IGBT的热效应比MOSFET要小，可以达到20°C-150°C之间。6、反应时间：IGBT的反应时间一般比MOSFET要快，可以达到1ns-50ns之间。

IGBT模块工艺流程简介：（1）超声波清洗：将焊接完成后的半成品置于插针机中，对模块上的针脚进行加盖超声波清洗，主要清洗焊接后针脚上残留的松香。清洗设备有效容积约3.2L，以无水乙醇作为清洁剂，单次清洗约24根针脚，时间约一分钟。（2）真空回流焊（二次）：根据客户需求，将键合完的DBC基板送入回流炉中，在炉内进行加热熔化（二次回流炉使用电加热，工作温度245℃，持续工作8分钟左右），以气态的甲酸与锡片金属表面的氧化物生成甲酸金属盐，并在高温下裂解还原金属，以此将DBC基板焊接到铜基板上，需向炉内注入氮气作为保护气以保证焊接质量。自动化设备的应用使IGBT模块的封装工艺更加智能化和高效化。

功率半导体主要被用作半导体开关，分类中被大家所熟知的非IGBT这个主流大佬莫属了，现在火热的电动汽车领域中也有着其身影，那么IGBT是什么呢？这里就为大家科普一下IGBT入门知识。IGBT的定义，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件，也是一种电力电子元件的综合体，是MOSFET（场效应晶体管）和BJT（Bipolar Junction Transistor，双极晶体管）的结合体，它具有MOSFET的优良特性，如可控性高、漏电流小、驱动电流小、开关速度快等，又具有BJT的优良特性，如具有较高的电流密度、较高的正向电压限制等，它能够实现大电流大电压的开关控制，被普遍应用于电力控制系统中。动态测试IGBT自动化设备可精确测量器件的开关速度和损耗。非标DBC底板贴装机现货直发

动态测试IGBT自动化设备可评估器件在高负载情况下的温度和功耗。外壳组装兼容设备供应

IGBT发展至今这么长的时间，从传统的电力电子领域拓展到汽车电子领域，IGBT设备的性能也在不断提升，要求也越来越高。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。外壳组装兼容设备供应