全真空闸阀三星半导体

微泰，多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀其特点是•操作模式：本地和远程•紧急情况：自动关闭•慢速泵送功能。多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀规格如下：材料：阀体 STS304， 机制 STS304、法兰尺寸(内径) 4英寸~10英寸、闸门密封 FKM(VITON)、开/关振动 无振动、He泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、闸门压差 ≤1.4 bar、分子流动电导（ISO100）1891 l/s、阀座 1X10-10 mbarㆍL/秒、泄漏率阀体 1X10-10 mbarㆍL/Sec、压力范围 1X10-10mbar 至 1.4 bar、闸门上任一方向的压差≤1.4 bar、安装位置：任意。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 闸阀按闸板结构形式分为单闸板和双闸板两种。全真空闸阀三星半导体

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，三重防护闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。有-屏蔽闸阀：防止气体和粉末进入阀内的隔离阀，-三重防护闸阀：屏蔽1和2+保护环的3重隔离系统，还有步进电机闸阀和铝闸阀，屏蔽门阀：产品范围：2.5~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•响应时间：0.2秒~3秒；三级预防闸阀，三重防护闸阀：产品范围：4~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀：产品范围：2.5~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀；铝闸阀：产品范围：2.5~12英寸•高压气动•维护前可用次数：10万次•响应时间：0.2秒~3秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。超高压闸阀角控制阀闸阀（gate valve）是一个启闭件闸板，闸板的运动方向与流体方向相垂直，闸阀只能作全开和全关。

微泰半导体闸阀具有诸多特点：首先，它已向中国台湾的 Micron、UMC、AKT 等，新加坡的 Micron、Global Foundries，马来西亚的英菲尼亚半导体，日本的 Micron、三星半导体等众多设备厂批量供货，且品质得到认可，同时完成了对半导体 Utility 设备和批量生产设备的验证。其次，该闸阀采用陶瓷球机构，具有良好的抗冲击和震动性能，保证可使用 25 万次，且检修方便，维护成本较低。它无 Particle 产生，采用陶瓷球不会有腐蚀和颗粒产生。此外，它还具有屏蔽保护功能，闸阀阀体与挡板之间的距离小于 1mm，能有效防止粉末侵入阀内，寿命为半永久性。其保护环设计也很独特，Protecrion Ring 通过流速上升设计防止粉末凝固，并通过打磨（研磨）工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。

微泰，三重防护闸阀、三防闸阀，应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• 涂层• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰三重防护闸阀、三防闸阀其特点是• 阀门控制器（1CH ~ 4CH）• 应用：半导体生产线中粉末和气体等副产品的处理，防止回流。三重防护闸阀、三防闸阀规格如下：操作：气动、法兰尺寸（内径） 2.5˝ ~ 10˝、法兰类型ISO，KF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型环/Kalrez O型环、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作压力范围： 1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、闸门上的压差； 1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。用真空闸阀时，应考虑与工艺气体的兼容性、工作压力范围、循环速度和维护要求等因素。

微泰半导体闸阀具有诸多特点：其阀门驱动部分的所有滚子和轴承都经过精心防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring），通过三重预防方式有效切断粉末（Powder），从而延长阀门驱动及使用寿命。该闸阀采用的三重预防驱动方式中的 Shield 功能，能够出色地防止气体和粉末侵入阀体内部，同时具备三重保护驱动保护环，可延长 GV 寿命的 Shield 方法，并已供应给海外半导体 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 设备。此外，挡板与阀体之间的距离小于 1mm，能够强力阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板采用 1.5t AL 材料制成，充分考虑了其复原力，并通过 Viton 粉末热压工艺制成。而三重保护保护环的主要功能则包括：AL 材料的重量减轻和保护环内部照明的改善、保护环内部流速的增加以及三元环的应用确保了驱动性能的提升。真空闸阀对于隔离不同的真空室、控制工艺过程中的气流以及在不影响真空环境的情况下促进维护或维修很重要。全真空闸阀三星半导体

闸阀的结构比较简单，一般由阀体、阀座、阀杆、闸板、阀盖、密封圈几部分组成。全真空闸阀三星半导体

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀Heating gate valve，加热插板阀，加热闸阀，加热器的加热温度为180-200度（可通过控制器设置温度）-规格：适用双金属（达到200度时，断电后温度下降后重新启动），应用于去除粉末/气体设备。微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。全真空闸阀三星半导体