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时间:2022年06月17日 来源:

真萍科技电脑式洁净节能氮气柜主要应用于解决晶圆片的潮湿、氧化及被其它气体(ex阿摩利亚气体)破坏,解决探针卡潮湿及氧化问题解决光罩的受潮问题---黄光部封装的金线,解决液晶的受潮问题,解决线路板受潮问题。下面为大家简单介绍一下真萍科技电脑式洁净节能氮气柜。一、氮气监控系统:1.1、2.3”LED大屏幕数字显示湿度/温度。1.2、温湿度显示值0.1%-99.9%RH,温度显示值0.1℃-60.0℃。1.3、温湿度收集采准确传感器,长距离传输无误差。1.4、湿度控制:2.4.1利用湿度设定值来控制氮气流入,到达湿度设定值即停止进气,节省氮气耗用。2.4.2湿度在1%-60%RH可调整。1.5、温湿度记录功能:2.5.1内建内存,可储存温度/湿度,收集时间1~240分钟可自行设定。2.5.2可利用RS232连接阜下载至计算机中读取。2.5.3品管记录格式设计,有助于内部记录追踪并可支持数据库档案格式。1.6、湿度警报系统:1.6.1可设定启动警报的湿度值及条件,内配蜂鸣器(90分贝)及闪烁警示功能。1.6.2可另外选配积层式警示灯。1.7、温湿度偏移校正功能:内建校正功能,确保显示准确度。工业烤箱的优点体现在哪?上海工业烤箱电烘箱接线.

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一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度6℃(恒温800℃,1h)二、气氛系统1.炉膛气氛2路氮气,流量计量程为2~20L/min;每路流量可调节2.排气系统在炉膛顶部设置一个排气*囱,用于废气排放,废气3.经过水封清洗后进入大气中,减少对环境污染4.氧含量配氧含量分析仪分析氧含量:5.高温状态氧含量≤10ppm+气源氧含量6.低温状态氧含量≤50ppm+气源氧含量。立式工业烤箱图片工业烤箱常见的用途有哪些?合肥真萍告诉您!

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下面为大家介绍一下石墨盘烤盘炉一.产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁处理,提高制品质量的目的。二、设计特点1、后门设计热风电机2、降温时风机开启,同时两端降温封头开启,炉膛内产生如图所示的气体流向3、通过气体介质将隔热层内与水冷壁之间进行热交换,达到快速降温的目的三、技术指标1、使用温度:1450℃;比较高温度:1500℃;2、绝热材料:石墨纤维毯、石墨纸;4、加热元件:石墨加热棒;5、冷却方式:气冷+循环风冷降温;6、控温稳定度:±2℃,具有PID参数自整定功能;7、炉膛温度均匀度:±5℃(恒温1500℃);8、气氛:可向炉膛内通入干燥、洁净、无油的高纯度氮气,纯度≥99.999%;9、极限真空:10-3torr级;10、抽气速率:空载下,30min达到10-2torr11、升温功率:170kW;12、升温速率:15℃/min(空载);13、降温速率:1450℃至80℃,240分钟14、腔体尺寸:1000*1000*1000mm(宽*深*高)

高温钟罩炉设备规格及结构炉膛结构:采用多晶莫来石材料砌筑而成外形尺寸:W1300H2200D1510(mm)一、热工系统1.1额定温度:1550℃1.2限制温度:1600℃1.3加热元件:U型硅钼棒1.4加热功率:16kW1.5空炉保温功率≤8kW1.6温区个数:1个1.7控温点数:1点1.8热偶:B分度1.9程序**精度:2℃(大于600℃,升温速率≤3℃/min)二、气氛系统2.1炉膛气氛:2路空气,流量计量程为7~70L/min;每路流量可调节2.2排气系统:在炉膛顶部设置一个排气*囱,用于废气排放三、传动系统3.1传动方式:升降式3.2传动类型:电动推杆传动3.3容积:20L四、冷却系统。工业烤箱的原理是什么?合肥真萍告诉您。

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质量连续炉的适用范围:连续炉即是连续作业炉,是指连续地或间歇地装料,工件在炉内不断移动,完成加热、保温,有时包括冷却在内全过程的热处理炉。连续作业炉可借助某些机械机构连续地或间歇地进行装料和出料,连续顺序地通过按零件处理工艺要求的不同温度区完成加热过程。使用连续作业炉可提高产品质量,提高劳动生产率和改善劳动条件。使用于电子、电机、通讯、电镀、塑料、五金化工、食品、印刷、制药、PC板、粉体、含浸、喷涂、玻璃、陶瓷、木器建材……等等的精密烘烤、烘干、回火、预热、定型、加工等。使用工业烤箱能给人们带来便利吗?温州工业烤箱价格多少

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HMDS预处理系统的必要性:在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。  增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。上海工业烤箱电烘箱接线.

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