非接触激光干涉仪高精度测量

光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。外光电效应在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。外光电效应的一些实验规律a．只当照射物体的光频率不小于某个确定值时，物体才能发出光电子，这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率)，相应的波长λ0叫做极限波长。不同物质的极限频率和相应的极限波长 是不同的。创建了一个 CMM演示器，用于显示由IDS3010执行的CMM中的位置检测。非接触激光干涉仪高精度测量

光束里的光子所拥有的能量与光的频率成正比。假若金属里的自由电子吸收了一个光子的能量，而这能量大于或等于某个与金属相关的能量阈（阀）值（称为这种金属的逸出功），则此电子因为拥有了足够的能量，会从金属中逃逸出来，成为光电子；若能量不足，则电子会释出能量，能量重新成为光子离开，电子能量恢复到吸收之前，无法逃逸离开金属。增加光束的辐照度会增加光束里光子的“密度”，在同一段时间内激发更多的电子，但不会使得每一个受激发的电子因吸收更多的光子而获得更多的能量。换言之，光电子的能量与辐照度无关，只与光子的能量、频率有关。广东激光干涉仪高精度测量寄生（错误）运动将被确定。

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。

光控制电器：光伏控制器利用光电管制成的光控制电器，可以用于自动控制，如自动计数、自动报警、自动跟踪等等，右上图是光控继电器的示意图，它的工作原理是：当光照在光电管上时，光电管电路中产生电光流，经过放大器放大，使电磁铁M磁化，而把衔铁N吸住，当光电管上没有光照时，光电管电路中没有电流，电磁铁M就自动控制，利用光电效应还可测量一些转动物体的转速。

制造光电倍增管：算式与观察不符时（即没有射出电子或电子动能小于预期），可能是因为系统没有完全的效率，某些能量变成热能或辐射而失去了。 传感器头适用于极端环境：  低温和高温（比较高450°C），UHV兼容性，  强辐射（高达10MGy）和高磁场。

这些内容不局限于一种技术方案，而是几种不同技术方案中概括出来的共同点。如采用无导轨干涉仪，对跟踪系统的要求可以降低；采用二维精密跟踪测角系统在1M3测量范围内可以得到高精度；有了超半球反射镜可以提高4路跟踪方案的精度。在现场进行介入制造和装配不能等待很长时间，力和热变形的补偿是必须的而且需要足够快，现在的技术还有相当大的差距，所以这些进展是关键性的。应用范围：新型并行机构机床的鉴定，飞机装配型架的鉴定，大型设备安装，用于生物芯片精密机器人校准等。在三个直径为400、315和200μm的金属圆筒上进行轮廓测量。电子激光干涉仪缺陷检测

其工作接近技术和物理的极限。非接触激光干涉仪高精度测量

干涉仪是根据光的干涉原理制成的一种仪器。分双光束干涉仪和多光束干涉仪两大类。其思想在于利用波的叠加性来获取波的相位信息， 从而获得实验所关心的物理量。干涉仪并不仅只局限于光干涉仪。干涉仪在天文学(Thompson et al,2001)，光学，工程测量，海洋学，地震学，波谱分析，量子物理实验，遥感，雷达等等精密测量领域都有广泛应用（Hariharan，2007）。根据光干涉原理制成的仪器。所以干涉仪是以光波波长为单位测量光程差的，其测量精度之高是任何其他测量方法所无法比拟的。非接触激光干涉仪高精度测量

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