光干涉膜厚仪推荐型号

FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下，能够测量到十几层。光干涉膜厚仪推荐型号

F50系列包含的内容：集成光谱仪/光源装置光纤电缆4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F50：20nm-70µm380-1050nmF50-UV：5nm-40µm190-1100nmF50-NIR：100nm-250µm950-1700nmF50-EXR：20nm-250µm380-1700nmF50-UVX：5nm-250µm190-1700nmF50-XT：0.2µm-450µm1440-1690nmF50-s980：4µm-1mm960-1000nmF50-s1310：7µm-2mm1280-1340nmF50-s1550：10µm-3mm1520-1580nm额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。光干涉膜厚仪推荐型号适用于所有可让红外线通过的材料 硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。

FSM413红外干涉测量设备关键词：厚度测量，光学测厚，非接触式厚度测量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光测厚，近红外光测厚，TSV,CD,Trench，砷化镓厚度，磷化铟厚度，玻璃厚度测量，石英厚度，聚合物厚度,背磨厚度，上下两个测试头。Michaelson干涉法，翘曲变形。如果您对该产品感兴趣的话，可以给我留言！产品名称：红外干涉厚度测量设备·产品型号：FSM413EC,FSM413MOT，FSM413SADP，FSM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息，请联系我们岱美仪器。

显微镜转接器F40系列转接器。Adapter-BX-Cmount该转接器将F40接到OlympusBX或MX上而不必使用Olympus价格较贵的c-mount转接器。MA-Cmount-F20KIT该转接器将F20连接到显微镜上(模仿F40，光敏度低5倍)，包括集成摄像机、光纤、TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准、F40软件，和F40手册。软件升级：UPG-RT-to-Thickness升级的厚度求解软件，需要UPG-Spec-to-RT。UPG-Thickness-to-n&k升级的折射率求解软件，需要UPG-RT-to-Thickness。UPG-F10-AR-HC为F10-AR升级的FFT硬涂层厚度测量软件。包括TS-Hardcoat-4um厚度标准。厚度测量范围0.25um-15um。UPG-RT-to-Color&Regions升级的色彩与光谱区域分析软件，需要UPG-Spec-to-RT 。所有的 Filmetrics 型号都能通过精确的光谱反射建模来测量厚度 (和折射率)。

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!产品型号：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。导电氧化物膜厚仪液晶显示行业

客户的设备更换后，或是在设备位置变化、安装地点移动等环境发生变化时，通过简单按键操作即可自动调平。光干涉膜厚仪推荐型号

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度光干涉膜厚仪推荐型号